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J-GLOBAL ID：201902287319912566   整理番号：19A0626043

分子ビームエピタクシーによるGaP成長に対するGa吸着原子拡散長の評価【JST・京大機械翻訳】

Estimation of Ga adatom diffusion length for GaP growth by molecular beam epitaxy

著者 (8件)： Piedra-Lorenzana Jose A. (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Yamane Keisuke (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Shiota Koki (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Fujimoto Junya (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Tanaka Shunsuke (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Sekiguchi Hiroto (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Okada Hiroshi (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Wakahara Akihiro (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 512  ページ： 37-40  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaP層のMBE成長の間に,Ga吸着原子取込拡散長さを2つの異なる方向,<110>および<110>において定量化した。ストリップパターン化GaP基板上に成長させたGaP層の厚さ分布を測定し,二つの異なる隣接ファセット間の一次元拡散成長モデルに基づいてデータを解析した。Ga吸着原子の拡散長は成長温度と共に増加し,拡散長の異方性は<110>および<110>方向に沿って観察されることを定量的に明らかにした。拡散長異方性による形態の影響をRHEEDパターンで議論した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *リン化ガリウム ,  *拡散距離 ,  *ガリウム ,  *吸着 ,  ファセット ,  帯板 ,  *MBE成長 ,  パターン形成 ,  一次元 ,  RHEED ,  半導体 ,  基板
準シソーラス用語： 成長モデル ,  *吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1 吸着 ,  A3 分子ビームエピタクシー ,  B1 りん化物 ,  B2 半導体III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子ビームエピタクシー ,  GAP ,  成長 ,  Ga ,  吸着原子 ,  拡散長 ,  評価