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J-GLOBAL ID：201902287351870158   整理番号：19A1415497

硬X線光電子分光法におけるバックグラウンド解析により決定した薄膜の厚さと構造【JST・京大機械翻訳】

Thickness and structure of thin films determined by background analysis in hard X-ray photoelectron spectroscopy

著者 (10件)： Cui Yi-Tao (Japan Synchrotron Radiation Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Tougaard Sven (Department of Physics, Chemistry and Pharmacy, University of Southern Denmark, DK-5230 Odense M, Denmark) ,  Oji Hiroshi (Japan Synchrotron Radiation Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Son Jin-Young (Japan Synchrotron Radiation Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Sakamoto Yasuhiro (Nanoscience and Nanotechnology Research Center, Research Organization for the 21st Century, Osaka Prefecture University, 1-2 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai 599-8570, Japan) ,  Matsumoto Takuya (Japan Synchrotron Radiation Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Yang Anli (Synchrotron X-ray Station at SPring-8, National Institute for Materials Science, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan) ,  Sakata Osami (Synchrotron X-ray Station at SPring-8, National Institute for Materials Science, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan) ,  Song Huaping (Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan) ,  Hirosawa Ichiro (Japan Synchrotron Radiation Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5198, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 22  ページ： 225307-225307-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線エネルギー7939eVの硬X線光電子分光法(HAXPES)を用いて,Si上のRu薄膜からの光電子ピークに関連する非弾性背景の解析について報告した。Ru膜の厚さと形態に関する情報を抽出するために,Tougaard-バックグラウンド解析法を用いた。Si 1sピークとRu 2p,2sピークの解析から,X線反射率で決定された厚さへの一貫した結果が見出された。また,表面トポグラフィー(膜厚<12nmに対するSi表面上のRu形状島状構造)に対しても良好な一致が見られ,著者らのフィッティング結果および走査電子顕微鏡によって決定されたより大きな厚さに対して完全な表面をカバーしていた。この方法により,厚さ150nmまでの膜に関する情報を得ることが可能であり,非弾性平均自由行程(IMFPs)の約20倍に相当することを実証した。これは,スペクトルがエネルギー損失のより大きな範囲にわたって追跡できるという事実により,従来のX線源を用いたX線光電子分光法に対するIMFPの約10倍の以前に報告されたものよりも大きい。この方法は,膜厚が別の技術によって知られている場合,IMFPを決定するためにも使用でき,4900eV(4.3nm)と6050eV(5.3nm)のRuに対するIMFPを決定するために適用された。さらに,この方法のいくつかの可能な応用について述べた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *X線光電子スペクトル ,  エネルギー損失 ,  平均自由行程 ,  *光電子 ,  *X線 ,  ケイ素 ,  走査電子顕微鏡 ,  *薄膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  非弾性 ,  X線源 ,  ルテニウム ,  島状構造 ,  膜厚 ,  *X線光電子分光法
準シソーラス用語： X線反射率 ,  *硬X線光電子分光 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硬X線光電子分光 ,  バックグラウンド ,  解析 ,  薄膜