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J-GLOBAL ID：201902289148490871   整理番号：19A0491235

AlInGaN四元エピ層の構造と光学的性質に及ぼすトリメチルアルミニウム流量の影響【JST・京大機械翻訳】

The Effect of Trimethylaluminum Flow Rate on the Structure and Optical Properties of AlInGaN Quaternary Epilayers

著者 (10件)： Wang Dongbo (Department of Opto-Electronic Information Science, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Liu Gang (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai 201203, China) ,  Jiao Shujie (Department of Opto-Electronic Information Science, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Kong Lingping (Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research, Shanghai 201203, China) ,  Liu Teren (Department of Opto-Electronic Information Science, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Liu Tong (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China) ,  Wang Jinzhong (Department of Opto-Electronic Information Science, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Guo Fengyun (Department of Opto-Electronic Information Science, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Luan Chunyang (Department of Opto-Electronic Information Science, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Li Zhenghao (Department of Opto-Electronic Information Science, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 3  ページ： 69  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,一連の四元AlxInyGa1-x-yN薄膜を,調整可能なトリメチルアルミニウム(TMA)流を用いた金属有機化学蒸着(MOCVD)法を用いて達成することに成功した。AlxInyGa1-x-yN膜の表面形態と光学的性質を評価した。TMA流の増加に伴うAlxInyGa1-x-yN膜のUVルミネセンス発光の増強に対するインジウム偏析効果を調べた。著者らの結果は,将来の光学材料設計とLED/LD応用に関するいくつかの光を明らかにした。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ルミネセンス ,  *流量 ,  インジウム ,  MOCVD ,  *光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  発光 ,  偏析 ,  光学材料 ,  薄膜
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： トリメチルアルミニウムの流れ ,  AlInGaN合金 ,  光ルミネセンス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

引用文献 (23件)：

• Wierer, J.J.; Krames, M.R.; Epler, J.E.; Gardner, N.F.; Graford, M.G.; Wendt, J.R.; Simmons, J.A.; Sigalas, M.M. InGaN/GaN quantum-well heterostructure light-emitting diodes employing photonic crystal structures. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3885-3887.
• Nishida, T.; Saito, H.; Kobayashi, N. Efficient and high-power AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode grown on bulk GaN. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 711-712.
• Nakamura, S.; Mukai, T.; Senoh, M. Candela-Class high-brightness InGaN/AlGaN Double-heterostructure Blue-light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687-1689.
• Taniyasu, Y.; Kasu, M.; Makimoto, T. An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres. Nature 2006, 441, 325-328.
• Kim, M.H.; Schubert, M.F.; Dai, Q.; Kim, J.K.; Schubert, E.F.; Piprek, J.; Park, Y. Origin of efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 183507.

タイトルに関連する用語 (4件)： エピ層 ,  光学的性質 ,  トリメチルアルミニウム ,  流量