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J-GLOBAL ID：201902289536903565   整理番号：19A1522555

低熱収支プロセスにより作製したSiO₂上のGeリッチポリGe_1-xSn_xの薄膜熱電発電機の運転

Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge_1-x Sn_x on SiO₂ fabricated by a low thermal budget process

著者 (8件)： TAKAHASHI Kouta (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKAHASHI Kouta (JSPS, Tokyo, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SAKASHITA Mitsuo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 12  号： 5  ページ： 051016.1-051016.5  発行年： 2019年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂で覆われたSi(001)上のp-およびn-型ポリGe_1-xSn_x(x~0.02)から成る薄膜熱電発電機を,低熱収支プロセス(300°C以下)で首尾よく製造し,初めて実証した。結晶化とドーパント活性化の両方を,流動水中でのパルスUVレーザ照射を用いて同時に行った。ポリGe_1-xSn_xにおけるSbの測定された活性化比は,比較的高い力率(RTで9.2μWcm^-1K^-2)を可能にし,これは,InP(001)上にエピタキシャル成長したn型Ge_1-xSn_x層の対応物に匹敵した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 熱収支 ,  二酸化ケイ素 ,  *熱電素子 ,  半導体薄膜 ,  *発電機 ,  結晶化 ,  ドーパント ,  活性化 ,  パルスレーザ照射 ,  紫外レーザ ,  力率 ,  リン化インジウム ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム熱電素子 ,  *熱電発電機 ,  エピタキシャル成長

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (60件)：

• M. Nomura, Y. Kage, D. Müller, D. Moser, and O. Paul, Appl. Phys. Lett. 106, 223106 (2015).
• Y. Nakamura et al., Nano Energy 12, 845 (2015).
• S. Hashimoto, S. Asada, T. Xu, S. Oba, Y. Himeda, R. Yamato, T. Matsukawa, T. Matsuki, and T. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 111, 023105 (2017).
• T. Watanabe et al., Proc. of Technical Papers of 2017 IEEE Electron Device Technology and Manufacturing Conf., 2017, p. 86.
• T. Taniguchi, T. Ishibe, H. Miyamoto, Y. Yamashita, and Y. Nakamura, Appl. Phys. Express 11, 111301 (2018).

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱収支 ,  プロセス ,  作製 ,  SiO2 ,  Ge ,  薄膜 ,  熱電発電機