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J-GLOBAL ID：201902290639063472   整理番号：19A0551866

SiC基板上のグラフェン成長の原子論的機構:新しい電荷移動結合次型ポテンシャルに基づく大規模分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Atomistic mechanism of graphene growth on a SiC substrate: Large-scale molecular dynamics simulations based on a new charge-transfer bond-order type potential

著者 (7件)： Takamoto So (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Yamasaki Takahiro (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Nara Jun (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohno Takahisa (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Kaneta Chioko (Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Hatano Asuka (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Izumi Satoshi (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 97  号： 12  ページ： 125411  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素の熱分解はグラフェンの製造のための有望なアプローチである。しかし,グラフェンの原子論的成長機構は不明のままである。本論文では,新しい電荷移動原子間ポテンシャルの開発について述べた。広い特性を持つ炭素結合は,提案したベクトル化結合次数項により再現できる。大規模熱分解シミュレーションにより,多環炭素構造の連続成長過程を観察することができた。アニーリングシミュレーションは,多環炭素構造が6員環のみを含む平坦なグラフェンに変換される原子過程を明らかにした。また,炭化ケイ素基板の表面原子は均一なグラフェン形成を促進することが分かった。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 成長段階 ,  熱分解 ,  原子間ポテンシャル ,  *シミュレーション ,  *電荷移動 ,  焼なまし ,  *グラフェン ,  炭化ケイ素 ,  結合次数 ,  炭素
準シソーラス用語： 原子過程 ,  ベクトル化 ,  成長メカニズム ,  *分子動力学シミュレーション ,  炭化ケイ素基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC基板 ,  グラフェン ,  成長 ,  電荷移動 ,  ポテンシャル ,  大規模 ,  分子動力学シミュレーション