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J-GLOBAL ID：201902295445081190   整理番号：19A2307149

カチオン性窒素によるグラフェンのp型ドーピング【JST・京大機械翻訳】

p-Type Doping of Graphene with Cationic Nitrogen

著者 (6件)： Chae Sangwoo (Department of Chemical Systems Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Panomsuwan Gasidit (Department of Materials Engineering, Faculty of Engineering, Kasetsart University, Thailand) ,  Bratescu Maria Antoaneta (Department of Chemical Systems Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Teshima Katsuya (Department of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Shinshu University, Japan) ,  Saito Nagahiro (Department of Chemical Systems Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Saito Nagahiro (Conjoint Research Laboratory in Nagoya University, Shinshu University, Japan)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 2  号： 3  ページ： 1350-1355  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドーピングによるグラフェンの電気的性質の調整は,現在広い応用分野において非常に重要である。グラフェン中の窒素原子の結合配置は,その電気的,化学的および光学的性質の制御において重要な役割を果たしている。ここでは,溶液プラズマ(SP)による新しいカチオン性窒素ドープグラフェン(CNG)の簡単なボトムアップ合成を初めて報告する。イオン液体と有機溶媒の混合物を出発前駆体として用いた。CNGは六方晶グラフェン格子中のカチオン性窒素の存在により斜方晶構造を示した。窒素ドーピング量は13.4原子%と高いことが分かった。電気的特性化は,CNGが優れた電気伝導率とキャリア濃度を持つp型半導体挙動を示すことを実証した。CNGのこのようなユニークな電気的特性は,主に保存された平面構造を持つカチオン性窒素の存在に起因する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 有機溶媒 ,  *グラフェン ,  *窒素 ,  イオン液体 ,  斜方晶系 ,  *カチオン ,  キャリア密度 ,  電気伝導率 ,  六方晶系 ,  半導体 ,  前駆体 ,  光学的性質 ,  平面構造
準シソーラス用語： ボトムアップ ,  窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： カチオン性窒素 ,  溶液プラズマ ,  グラフェン ,  p型 ,  高電気伝導率 ,  高キャリア濃度 ,  イオン液体

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： カチオン ,  窒素 ,  グラフェン ,  p型ドーピング