特許
J-GLOBAL ID:201903000521667683
基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柏岡 潤二
, 内藤 泰史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-108906
公開番号(公開出願番号):特開2019-050349
出願日: 2018年06月06日
公開日(公表日): 2019年03月28日
要約:
【課題】結晶の発生を抑制すること又は結晶を除去することに有効な基板液処理装置を提供すること。【解決手段】基板液処理装置A1は、処理液43及び基板8を収容する処理槽41と、処理槽41内の下部にガスを吐出するガスノズル70と、ガスを供給するガス供給部90と、ガスノズル70及びガス供給部90を接続するガス供給ライン93と、ガス供給ライン93を減圧することによりガス供給ライン93に処理槽41内の処理液43を引き込む減圧部95と、処理槽41に基板8が収容されていないアイドル期間の一部において、ガスの供給が停止するようにガス供給部90を制御すると共に、ガス供給ライン93に処理液43が引き込まれるように減圧部95を制御する、第1制御を実行するように構成された制御部7と、を備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
処理液及び基板を収容する処理槽と、
前記処理槽内の下部にガスを吐出するガスノズルと、
前記ガスを供給するガス供給部と、
前記ガスノズル及び前記ガス供給部を接続するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインを減圧することにより前記ガス供給ラインに前記処理槽内の前記処理液を引き込む減圧部と、
前記処理槽に前記基板が収容されていないアイドル期間の一部において、前記ガスの供給が停止するように前記ガス供給部を制御すると共に、前記ガス供給ラインに前記処理液が引き込まれるように前記減圧部を制御する、第1制御を実行するように構成された制御部と、を備える基板液処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/304
, H01L 21/306
FI (3件):
H01L21/304 648L
, H01L21/304 642F
, H01L21/306 J
Fターム (24件):
5F043EE02
, 5F043EE06
, 5F043EE21
, 5F157AB03
, 5F157AB13
, 5F157AB34
, 5F157AC01
, 5F157AC13
, 5F157BB04
, 5F157BB06
, 5F157BB09
, 5F157BB79
, 5F157CC41
, 5F157CD34
, 5F157CE24
, 5F157CE37
, 5F157CF04
, 5F157CF14
, 5F157CF20
, 5F157CF34
, 5F157CF42
, 5F157CF60
, 5F157CF74
, 5F157DC90
引用特許:
出願人引用 (4件)
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ウエットエッチング処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-205015
出願人:松下電子工業株式会社
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特開昭63-077525
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散気装置及び洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2014-062076
出願人:三機工業株式会社
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特開平4-369361
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審査官引用 (4件)