特許
J-GLOBAL ID：201903000596817648

裏面入射型半導体光検出装置

発明者：
石田 篤司

石田 篤司 について

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馬場 隆

馬場 隆 について

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岡田 真昇

岡田 真昇 について

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永野 輝昌

永野 輝昌 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柴山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-091623
公開番号（公開出願番号）：特開2019-197833
出願日： 2018年05月10日
公開日（公表日）： 2019年11月14日
要約：
【課題】微弱光の検出精度を確保できる裏面入射型半導体光検出装置を提供する。【解決手段】裏面入射型半導体光検出装置1は、二次元配列されている複数の画素Uを有する光検出基板10と、対応する画素Uからの出力信号を処理する複数の信号処理部を有する回路基板とを備える。光検出基板10は、画素U毎に、半導体基板50の第一主面1Nb側に設けられた受光領域Sをそれぞれ有していると共に、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードAPDを有する。半導体基板50では、溝13が、第一主面1Nbに直交する方向から見て、画素U毎に、受光領域Sを含む少なくとも1つの領域αを囲む。複数の信号処理部の数は、各画素Uでの受光領域Sの数よりも多く、各画素Uでの溝13で囲まれた領域αの数は、当該画素Uでの受光領域Sの数以下である。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
互いに対向する第一主面及び第二主面を有している半導体基板を有すると共に、前記半導体基板に二次元配列されている複数の画素を有する光検出基板と、 前記光検出基板に接続されていると共に、対応する前記画素からの出力信号を処理する複数の信号処理部を有する回路基板と、を備え、 前記光検出基板は、前記画素毎に、 前記半導体基板の前記第一主面側に設けられた受光領域をそれぞれ有していると共に、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードと、 前記半導体基板の前記第一主面側に配置されていると共に、対応する前記アバランシェフォトダイオードに電気的に直列接続されている複数のクエンチング抵抗と、 前記半導体基板の前記第一主面側に配置されていると共に、前記複数のクエンチング抵抗に電気的に接続されているパッド電極と、 を有し、 前記複数のアバランシェフォトダイオードの前記受光領域は、前記画素毎で、二次元配列されており、 前記半導体基板には、前記第一主面に開口する溝が形成されており、 前記溝は、前記第一主面に直交する方向から見て、前記画素毎に、前記受光領域を含む少なくとも1つの領域を囲み、 各前記信号処理部は、対応する前記パッド電極を通して前記複数のアバランシェフォトダイオードが電気的に接続されていると共に前記複数のアバランシェフォトダイオードからの出力信号に対応する信号を出力するフロントエンド回路であり、 前記回路基板が有している前記複数の信号処理部の数は、各前記画素での前記受光領域の数よりも多く、 各前記画素での前記溝で囲まれた領域の数は、当該画素での前記受光領域の数以下であり、 前記第二主面が前記半導体基板への光入射面である、裏面入射型半導体光検出装置。
IPC (1件)：
H01L 31/107
FI (1件)：
H01L31/10 B
Fターム (11件)：
5F849AA07 ,  5F849AB03 ,  5F849BA01 ,  5F849BA04 ,  5F849BB07 ,  5F849EA04 ,  5F849EA07 ,  5F849GA04 ,  5F849KA12 ,  5F849KA13 ,  5F849KA20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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