特許
J-GLOBAL ID：201903000773524893
半導体装置および半導体ウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人虎ノ門知的財産事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-202041
公開番号（公開出願番号）：特開2019-075508
出願日： 2017年10月18日
公開日（公表日）： 2019年05月16日
要約：
【課題】β-酸化ガリウムを含み、常温でp型の導電型を示す半導体領域を有する半導体装置および半導体ウェーハを提供する。【解決手段】本発明の半導体装置1、2は、β-酸化ガリウムを含む、第1導電型の半導体基板10nと、β-酸化ガリウムを含み、半導体基板の上側に設けられた第1導電型の第1半導体領域11nと、β-酸化ガリウムを含み、第1半導体領域の一部の上側に設けられた第2導電型の第2半導体領域12pと、β-酸化ガリウムを含み、第2半導体領域の一部の上側に設けられた第1導電型の第3半導体領域13nとを含む。第1導電型がn型であり、第2導電型がp型である場合、第2半導体領域は、バンドギャップ制御元素をさらに含む。バンドギャップ制御元素は、ホウ素、アルミニウム、およびインジウムの群から選択されることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
β-酸化ガリウムを含む、第1導電型の半導体基板と、
β-酸化ガリウムを含み、前記半導体基板の上側に設けられた前記第1導電型の第1半導体領域と、
β-酸化ガリウムを含み、前記第1半導体領域の一部の上側に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
β-酸化ガリウムを含み、前記第2半導体領域の一部の上側に設けられた前記第1導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域と前記第3半導体領域との間に位置する前記第2半導体領域の部分に絶縁膜を介して対向する制御電極と、
を備え、
前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型である場合、
前記第2半導体領域は、バンドギャップ制御元素をさらに含み、
前記第1導電型がp型であり、前記第2導電型がn型である場合、
前記半導体基板、前記第1半導体領域および前記第3半導体領域は、前記バンドギャップ制御元素をさらに含み、
前記バンドギャップ制御元素は、ホウ素、アルミニウム、およびインジウムの群から選択されることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, C30B 29/16
, H01L 21/225
H01L29/78 652T
, C30B29/16
, H01L29/78 653C
, H01L21/225 M
