結晶性積層構造体および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-095287
公開番号（公開出願番号）：特開2015-227279
出願日： 2015年05月07日
公開日（公表日）： 2015年12月17日
要約：

【課題】半導体特性に優れ、特に、導電性の制御容易性に優れ、縦方向導通が可能であり、良好な電気特性を有している結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備えている積層構造体であって、前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1または2以上の金属を含む酸化物半導体であり、さらに、一軸に配向している。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備えている結晶性積層構造体であって、前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1または2以上の金属を含む酸化物半導体であり、さらに、一軸に配向していることを特徴とする結晶性積層構造体。

IPC (21件)：

C30B 29/16 , H01L 21/365 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/872 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/12 , H01L 21/28 , H01L 29/47 , H01L 29/417 , H01L 21/20 , C23C 16/40 , H01L 33/26 , H01L 29/24 , C30B 25/18

FI (24件)：

C30B29/16 , H01L21/365 , H01L29/80 H , H01L29/80 V , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 620 , H01L29/86 301M , H01L29/86 301D , H01L29/86 301E , H01L29/78 653A , H01L29/78 655A , H01L29/78 652T , H01L29/78 618F , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/48 D , H01L29/50 M , H01L29/50 B , H01L21/20 , C23C16/40 , H01L33/00 180 , H01L29/24 , C30B25/18

Fターム (149件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AA07 , 4G077BB01 , 4G077BC01 , 4G077BC60 , 4G077DA05 , 4G077DA11 , 4G077DB01 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TK08 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030LA12 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104FF03 , 4M104GG03 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F045AA04 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AF02 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045CA00 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA61 , 5F045EK06 , 5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC01 , 5F102GC09 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL11 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT04 , 5F102GT10 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN05 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NN27 , 5F152NP01 , 5F152NP17 , 5F152NP27 , 5F152NQ09 , 5F241CA04 , 5F241CA22 , 5F241CA46 , 5F241CA67 , 5F241CA88

引用特許：

審査官引用 (6件)

透明導電膜及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055393 出願人：株式会社日立製作所
ヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-042073 出願人：TDK株式会社
導電性酸化物薄膜、この薄膜を有する物品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-202001 出願人：ホーヤ株式会社

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