特許
J-GLOBAL ID：201903000809174908

高周波スイッチ回路

発明者：
郭裕政

郭裕政 について

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曹偉君

曹偉君 について

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劉家宏

劉家宏 について


出願人/特許権者：
和碩聯合科技股▲分▼有限公司

和碩聯合科技股▲分▼有限公司 について


代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-208948
公開番号（公開出願番号）：特開2019-088005
出願日： 2018年11月06日
公開日（公表日）： 2019年06月06日
要約：
【課題】高周波スイッチ回路を提供する。【解決手段】陰極端が第1の参照電圧を受ける第1のダイオードと、陰極端が第1の参照電圧を受ける第2のダイオードと、第1の端が第1のダイオードの陽極端に結合され、第2の端が第1の制御電圧を受ける第1のインダクタと、第1の端が第2のダイオードの陽極端に結合され、第2の端が第2の制御電圧を受ける第2のインダクタと、第1のインダクタの第1の端に結合される第1のキャパシタと、第2のインダクタの第1の端に結合される第2のキャパシタと、を含み、第1の制御電圧が第1の参照電圧より小さい場合、第1のダイオードはオフ状態になるが、第2の制御電圧が第1の参照電圧より小さい場合、第2のダイオードはオフ状態になる高周波スイッチ回路。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
陰極端が第1の参照電圧を受ける第1のダイオードと、 陰極端が前記第1の参照電圧を受ける第2のダイオードと、 第1の端が前記第1のダイオードの陽極端に結合され、第2の端が第1の制御電圧を受ける第1のインダクタと、 第1の端が前記第2のダイオードの陽極端に結合され、第2の端が第2の制御電圧を受ける第2のインダクタと、 前記第1のインダクタの前記第1の端に結合される第1のキャパシタと、 前記第2のインダクタの前記第1の端に結合される第2のキャパシタと、 を含み、 前記第1の制御電圧が前記第1の参照電圧より小さい場合、前記第1のダイオードはオフ状態になるが、前記第2の制御電圧が前記第1の参照電圧より小さい場合、前記第2のダイオードはオフ状態になる高周波スイッチ回路。
IPC (3件)：
H03K 17/693 ,  H03K 17/687 ,  H01P 1/15
FI (3件)：
H03K17/693 A ,  H03K17/687 G ,  H01P1/15
Fターム (8件)：
5J012BA00 ,  5J055BX03 ,  5J055BX04 ,  5J055DX10 ,  5J055EY05 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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