特許
J-GLOBAL ID：201903000829884693
スルホニウム塩、レジスト組成物及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人英明国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-188374
公開番号（公開出願番号）：特開2018-052832
特許番号：特許第6589795号
出願日： 2016年09月27日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(2)で表されるスルホニウム塩。
[式中、環Xは、式中の硫黄原子を環の一部として含む、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数2〜30の環状炭化水素基である。R1〜R3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20の1価炭化水素基であり、又はR1とR2とが、互いに結合してこれらが結合するベンゼン環及びその間の窒素原子と共に下記式のいずれかで表される環を形成してもよい。
(式中、破線は、結合手を表す。)
p、q及び/又はrが2以上の場合は、複数のR1〜R3は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のR1〜R3どうしが、互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に下記式のいずれかで表される環を形成してもよい。
(式中、破線は、ベンゼン環部分を表す。)
p及びqは、それぞれ独立に、0〜5の整数である。rは、0〜4の整数である。Z-は、1価のアニオンである。]
IPC (10件)：
C07D 333/46 ( 200 6.01)
, C07D 409/10 ( 200 6.01)
, C07D 335/02 ( 200 6.01)
, C07D 327/06 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/32 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, C08F 220/10 ( 200 6.01)
C07D 333/46
, C07D 409/10
, C07D 335/02
, C07D 327/06
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/004 501
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/32
, G03F 7/004 504
, G03F 7/20 521
, C08F 220/10
