特許

J-GLOBAL ID：201903001519815590

窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

発明者： 森 勇介 ,  吉村 政志 ,  今出 完 ,  今西 正幸 ,  柴田 真佐知 ,  吉田 丈洋
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社サイオクス ,  住友化学株式会社
代理人 (4件)： 福岡 昌浩 ,  阿部 廣美 ,  橘高 英郎 ,  白鳥 昌宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-000354
公開番号（公開出願番号）：特開2017-122013
特許番号：特許第6604205号
出願日： 2016年01月05日
公開日（公表日）： 2017年07月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を、それらの主面が互いに平行となり、それらの側面が互いに当接するように平面状に配置する工程と、 平面状に配置させた複数の前記種結晶基板の表面上に、気相成長法を用いて第1結晶膜を成長させ、隣接する前記種結晶基板が前記第1結晶膜によって互いに接合されてなる接合基板を作製する工程と、 前記接合基板の主面上に、液相成長法を用いて第2結晶膜を成長させ、前記種結晶基板の接合部に存在する溝内に前記第2結晶膜を埋め込んで、平滑化された主面を有する結晶成長用基板を作製する工程と、 前記結晶成長用基板の平滑化された主面上に、気相成長法を用いて第3結晶膜を成長させる工程と、 を有する窒化物結晶基板の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 25/20 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  C23C 16/01 ( 200 6.01) ,  C23C 16/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/208 ( 200 6.01)

FI (7件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 D