特許
J-GLOBAL ID：201903001661404301
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-198535
公開番号（公開出願番号）：特開2019-053305
出願日： 2018年10月22日
公開日（公表日）： 2019年04月04日
要約：
【課題】レジスト膜中に十分に増感剤を含有させることが可能な半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】半導体基板を含む下地領域11上に、レジスト膜への露光光に対する感度を高めるための増感剤を含有したエネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線としてUV光を照射してエネルギー線硬化性樹脂層を室温で硬化させて増感剤を含有した下層膜12bを形成する工程と、下層膜上にレジスト膜14aを形成する工程と、熱処理によって下層膜からレジスト膜中に増感剤を拡散させる工程と、増感剤が拡散したレジスト膜にフォトマスクを介して露光光としてEUV光を照射してレジスト膜に所望のパターンを転写する工程と、露光光が照射されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板を含む下地領域上に、レジスト膜への露光光に対する感度を高めるための増感剤を含有したエネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、
前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線としてUV光を照射して前記エネルギー線硬化性樹脂層を室温で硬化させて前記増感剤を含有した下層膜を形成する工程と、
前記下層膜上に前記レジスト膜を形成する工程と、
熱処理によって前記下層膜から前記レジスト膜中に前記増感剤を拡散させる工程と、
前記増感剤が拡散したレジスト膜にフォトマスクを介して露光光としてEUV光を照射して前記レジスト膜に所望のパターンを転写する工程と、
前記露光光が照射されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記下層膜をエッチングして下層膜パターンを形成する工程と、
前記レジストパターン及び前記下層膜パターンをマスクとして用いて前記下地領域をエッチングして前記下地領域に回路パターンを形成する工程と、
前記レジストパターン及び前記下層膜パターンを除去して前記下地領域に前記回路パターンを残す工程と、
を備え、
前記レジスト膜中に拡散した増感剤の濃度は、前記レジスト膜の上面から下面に向かって増加しており、
前記増感剤は、露光光を吸収して2次電子を発生するものであり、
前記レジスト膜は、2次電子のエネルギーによって酸を発生する酸発生剤を含有し、
前記エネルギー線硬化性樹脂層は、第1の樹脂、第2の樹脂及び第3の樹脂から選択された樹脂によって形成され、
前記第1の樹脂は、カチオン重合可能な反応性基を有する重合性化合物と光カチオン重合開始剤との混合物と、前記増感剤とを含み、
前記第2の樹脂は、ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を有する重合性化合物と光ラジカル重合開始剤との混合物と、前記増感剤とを含み、
前記第3の樹脂は、シリコン酸化物又はメタル酸化物を主成分とするエネルギー線重合性化合物と光カチオン重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤との混合物と、前記増感剤とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
G03F 7/11
, G03F 7/028
, G03F 7/26
, G03F 7/38
, G03F 7/20
G03F7/11 503
, G03F7/028
, G03F7/26 511
, G03F7/38 501
, G03F7/20 501
, G03F7/20 521
2H196AA25
, 2H196BA01
, 2H196BA09
, 2H196CA05
, 2H196DA01
, 2H196EA07
, 2H196FA01
, 2H196GA03
, 2H196GA08
, 2H196HA23
, 2H197CA05
, 2H197CA06
, 2H197CA07
, 2H197CA09
, 2H197CA10
, 2H197CE01
, 2H197CE10
, 2H197GA01
, 2H197HA03
, 2H225CA12
, 2H225CB14
, 2H225CC01
, 2H225CC03
, 2H225CD05
