特許
J-GLOBAL ID：201303084893604836
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-283993
公開番号（公開出願番号）：特開2013-135066
出願日： 2011年12月26日
公開日（公表日）： 2013年07月08日
要約：
【課題】本発明の実施形態は、高精度なパターン形成が可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法は、被処理体12上に、感光性物質を含むレジスト膜14’であって、感光性物質の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ感光性物質の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも底部側にある濃度プロファイルを有するレジスト膜14’を形成する工程と、表面側からレジスト膜14’に対して光100を照射する工程と、レジスト膜14’に光100を照射した後、レジスト膜14’を現像する工程と、を備えている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被処理体上に、EUV(Extreme Ultra Violet)光を吸収して2次電子を発生する増感剤を含む下層膜を形成する工程と、
前記下層膜上に、前記2次電子のエネルギーにより酸を発生する酸発生剤を含むレジスト膜を形成する工程と、
前記下層膜から前記レジスト膜に前記増感剤を拡散させて、前記レジスト膜に、前記増感剤の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ前記増感剤の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも前記底部側にある濃度プロファイルを与える工程と、
前記濃度プロファイルを有するレジスト膜に対して前記表面側から前記EUV光を照射する工程と、
前記レジスト膜に前記EUV光を照射した後、前記レジスト膜を現像する工程と、
を備えたパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 7/095
H01L21/30 531E
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 563
, G03F7/095
2H125DA12
, 5F146GA16
, 5F146GA21
, 5F146GA23
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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