光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：萼経夫 , 宮崎嘉夫 , 加藤勉 , 伴知篤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-002242
公開番号（公開出願番号）：特開2012-088738
出願日： 2012年01月10日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層で使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、アスペクト比が大きいホールを有する半導体基板の表面を平坦化できる下層膜、及び該下層膜を形成するための下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】フォトレジストの下層に使用される下層膜を光照射によって形成するための組成物であって、重合性物質及び光重合開始剤を含み、該重合性物質がラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を少なくとも一つ有する重合性化合物であり、そして該光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である、下層膜形成組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層に使用される下層膜を光照射によって形成するための組成物であって、重合性物質及び光重合開始剤を含み、該重合性物質がラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を少なくとも一つ有する重合性化合物であり、そして該光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である、下層膜形成組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/11 , H01L 21/027 , C08F 2/50 , C08F 20/26

FI (5件)：

G03F7/11 503 , H01L21/30 502R , H01L21/30 573 , C08F2/50 , C08F20/26

Fターム (50件)：

2H125AC34 , 2H125AC35 , 2H125AD02 , 2H125AD06 , 2H125AD19 , 2H125AE06N , 2H125AE07N , 2H125AE12N , 2H125AE13N , 2H125AE14N , 2H125AF17N , 2H125AF35N , 2H125AN39N , 2H125AN42N , 2H125AN57N , 2H125BA01N , 2H125BA32N , 2H125CA12 , 2H125DA22 , 4J011AA05 , 4J011CA02 , 4J011CA08 , 4J011CC10 , 4J011QA12 , 4J011QA13 , 4J011QA15 , 4J011QA19 , 4J011QA23 , 4J011QB19 , 4J011QB24 , 4J011SA83 , 4J011UA01 , 4J011VA01 , 4J011WA01 , 4J100AL62P , 4J100AL63P , 4J100AL66P , 4J100AL67P , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA08P , 4J100BA15P , 4J100BA38P , 4J100BC75P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38 , 5F146NA01 , 5F146NA18

引用特許：

出願人引用 (3件)

感光性樹脂用下地材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-041022 出願人：住友化学工業株式会社
反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-158639 出願人：信越化学工業株式会社
微細パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-289429 出願人：松下電器産業株式会社

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