特許

J-GLOBAL ID：201903002915339765

分布ミキサ

発明者： 濱田 裕史 ,  徐 照男 ,  野坂 秀之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-050704
公開番号（公開出願番号）：特開2019-165288
出願日： 2018年03月19日
公開日（公表日）： 2019年09月26日
要約：

【課題】広帯域性と高い変換利得を確保し、消費電力を削減する。【解決手段】分布ミキサは、入力端がLO端子5に接続され、終端がIF端子7に接続された疑似伝送線路1と、入力端がRF端子6に接続された疑似伝送線路2と、疑似伝送線路1,2に沿って配置され、ゲートが疑似伝送線路2に接続され、ソースが接地され、LO信号とRF信号とを周波数合成するFETQ1と、疑似伝送線路2の終端にゲートバイアス電圧を印加するバイアス回路4aと、疑似伝送線路2の終端と接地とを接続する終端抵抗R1と、疑似伝送線路1と各FETQ1のドレインとの間に設けられた複数の伝送線路CPW3とから構成される。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

入力端がLO信号入力用のLO端子に接続され、終端がIF信号出力用のIF端子に接続された第1の伝送線路と、 入力端がRF信号入力用のRF端子に接続された第2の伝送線路と、 前記第1、第2の伝送線路間に、これら伝送線路の信号流れ方向に沿って等間隔で配置され、ゲートが前記第2の伝送線路に接続され、ドレインが前記第1の伝送線路に接続され、ソースが接地された複数のトランジスタと、 前記第2の伝送線路の終端にバイアス電圧を印加するバイアス回路と、 前記第2の伝送線路の終端と接地とを接続する終端抵抗とを備え、 前記バイアス回路は、前記複数のトランジスタのゲート・ソース間の直流電圧がこれらトランジスタの閾値電圧となるように前記バイアス電圧を印加し、 前記複数のトランジスタのドレインとソースの直流電圧が等しく、 前記第1の伝送線路の終端から、前記RF信号を周波数変換した前記IF信号を出力することを特徴とする分布ミキサ。

IPC (1件)：

H03D 7/12

FI (1件)：

H03D7/12 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 分布ミキサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-174499   出願人：日本電信電話株式会社
• ミキサ・アーキテクチャ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-534825   出願人：クゥアルコム・インコーポレイテッド
• 特開平2-094908
  
• マイクロ波半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-085641   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 分布ミキサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-174499   出願人：日本電信電話株式会社
• マイクロ波半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-085641   出願人：ソニー株式会社
• ミキサ・アーキテクチャ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-534825   出願人：クゥアルコム・インコーポレイテッド
• 特開平2-094908