特許
J-GLOBAL ID：201903003251635902
半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-503983
特許番号：特許第6484388号
出願日： 2016年09月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン酸化膜上に、前記シリコン酸化膜との接面と、前記接面に対向する露出面と、を有するポリシリコン膜が形成されている基板を準備する工程と、
水素原子と酸素原子を含有するガスをプラズマ励起することにより生成された第1の反応種を前記ポリシリコン膜の露出面に供給する工程と、
前記第1の反応種を前記ポリシリコン膜の露出面に供給する工程の後、窒素原子を含有するガスをプラズマ励起することにより生成された第2の反応種を前記ポリシリコン膜の露出面に供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 27/1158 ( 201 7.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 27/1152 ( 201 7.01)
H01L 21/316 C
, H01L 21/31 C
, H01L 27/115 2
, H01L 29/78 371
, H01L 27/115 1
