特許
J-GLOBAL ID：201403006491786101

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
寺崎 正

寺崎 正 について

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中山 雅則

中山 雅則 について

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竹下 光徳

竹下 光徳 について

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舟木 克典

舟木 克典 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-186834
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075579
出願日： 2013年09月10日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：
【課題】アスペクト比の高い溝を処理する際、ステップカバレッジが良好な膜を形成できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ生成空間と、プラズマ生成空間に連通した基板処理空間と、を有する基板処理室201と、前記プラズマ生成空間の外側に配され、コイル212と前記コイルに接続される波形調整回路を合わせた電気的長さが投入される電力の波長の整数倍の長さである誘導結合構造と、前記基板処理空間内に設けられ、表面にシリコン含有層が形成された高アスペクト比の溝を有する基板を載置する基板載置台217と、プラズマ生成空間に酸素含有ガスを供給する酸素ガス供給系を有するガス供給部234と、基板処理室からガスを排気する排気部235とを有する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマが生成されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通し基板処理時に基板が投入される基板処理空間と、を有する基板処理室と、 前記プラズマ生成空間の外側に配され、コイルと前記コイルに接続される波形調整回路を合わせた電気的長さが、投入される電力の波長の整数倍の長さである誘導結合構造と、 前記基板処理空間内に設けられ、表面にシリコン含有層が形成された高アスペクト比の溝を有する基板を載置する基板載置台と、 前記基板処理室の壁に設けられた基板搬入出口と、 基板を処理する際、前記基板載置台に載置された基板を前記基板搬入出口と前記コイルの下端との間に位置するよう前記基板載置台を昇降可能な基板支持台昇降部と、 前記プラズマ生成空間に酸素含有ガスを供給する酸素ガス供給系を有するガス供給部と、 前記基板処理室からガスを排気する排気部と を有する基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/316 A ,  C23C16/505 ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 R
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA04 ,  4K030GA04 ,  4K030GA12 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030KA09 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4K030LA19 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045DP03 ,  5F045EH11 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ06
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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