パワー半導体と冷却体との組立体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮崎昭夫 , 緒方雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-113093
公開番号（公開出願番号）：特開2012-244176
特許番号：特許第6513326号
出願日： 2012年05月17日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも1つのパワー半導体素子が配置された支持プレート(2)と、少なくとも1つの前記パワー半導体素子とともに前記支持プレートを少なくとも部分的に包囲するハウジング(1)と、を有し、少なくとも1つの前記パワー半導体素子が前記ハウジング(1)から引き出された電源端子および制御端子(4〜12)と電気的に接続されており、冷却体に組み付けられるパワー半導体と、前記冷却体との組立体において、前記電源端子(4,5,6)は前記ハウジング(1)の一方の側で1列に配置されており、前記制御端子(7,8,9,10,11,12)は前記ハウジング(1)の他方の側で1列に配置されており、互いに隣接する前記電源端子(4,5,6)間の間隔(a)は、互いに隣接する前記制御端子(7,8,9,10,11,12)間の間隔(b)よりも広く、前記支持プレートの上に2つの前記パワー半導体素子が配置されており、該パワー半導体素子は、前記ハウジング(1)の前記一方の側に配置された共通の前記電源端子(4,5,6)と、個別の前記制御端子(7,8,9,10,11,12)と、を有しており、該制御端子のうち、第1のパワー半導体素子に属する制御端子(7,8,9)は、前記ハウジングの前記他方の側で第1の列をなすように並んで配置されており、第2のパワー半導体素子に属する制御端子(10,11,12)は、前記ハウジングの前記他方の側で第2の列をなすように並んで配置されており、前記制御端子(7,8,9,10,11,12)の前記第1の列と前記第2の列との間の間隔(c)は、前記第1の列および前記第2の列の前記制御端子(7,8,9,10,11,12)間の前記間隔(b)よりも広く、前記制御端子(7,8,9,10,11,12)の前記第1の列と前記第2の列との間の前記間隔(c)は、互いに隣接する前記電源端子間の前記間隔(a)以下であり、前記支持プレート(2)は、絶縁性のセラミック基板からなり、前記ハウジング(1)の底面(3)を形成し、前記ハウジング(1)の方に向いた面と前記ハウジング(1)と反対に向いた面の両方に金属層を備えており、前記電源端子(4,5,6)と前記制御端子(7,8,9,10,11,12)は、表面実装部品の端子として構成され、前記ハウジング(1)から側方に延びる第1の部分(A)と、前記第1の部分から配線板へ向けて延びる第2の部分(B)と、前記第2の部分から外部に向けて側方に延びる第3の部分(C)と、を有し、前記冷却体の方を向けられる前記支持プレート(2)の側面は、前記ハウジング(1)の底面(3)と同一平面上で終端しており、前記ハウジングの方に向いた面に備えられている金属層は回路構造の導体路に基づき構造化されていることを特徴とする、パワー半導体と冷却体との組立体。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ( 200 6.01) , H01L 25/18 ( 200 6.01) , H01L 23/48 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 25/04 C , H01L 23/48 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217326 出願人：本田技研工業株式会社
電力用半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-278209 出願人：株式会社デンソー
パワー半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-282638 出願人：松下電器産業株式会社

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