特許
J-GLOBAL ID:201003048793112954

電力用半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人あいち国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-278209
公開番号(公開出願番号):特開2010-109062
出願日: 2008年10月29日
公開日(公表日): 2010年05月13日
要約:
【課題】高電圧端子間の絶縁性を充分に確保しつつ、端子間距離を狭めることができる電力用半導体モジュールを提供する。【解決手段】電力用半導体素子2と、所定間隔をおいて隣接配置された第1高電圧端子11および第2高電圧端子12とを備える。電力用半導体素子2は封止部材3中に封止されている。第1高電圧端子11および第2高電圧端子12は、その表面のうち、予め定められた端子接続用の露出面を除いた部分が絶縁材料に被覆されるように、封止部材3中に封止されている。封止部材3には、第1端子接続孔41が形成され、封止部材3の表面から所定深さ位置にて第1高電圧端子11の露出面11aが露出するとともに、封止部材3に第2端子接続孔42が形成され、封止部材3の表面から所定深さ位置にて第2高電圧端子12の露出面12aが露出するよう構成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電力用半導体素子と、 該電力用半導体素子に接続され、所定間隔をおいて隣接配置された第1高電圧端子および第2高電圧端子と、 絶縁材料からなる封止部材と、 を備え、上記電力用半導体素子は上記封止部材中に封止され、 上記第1高電圧端子および第2高電圧端子は、その表面のうち、予め定められた端子接続用の露出面を除いた部分が上記絶縁材料に被覆されるように、上記封止部材中に封止され、 該封止部材には、第1端子接続孔が形成され、上記封止部材の表面から上記第1端子接続孔内における所定深さ位置にて上記第1高電圧端子の上記露出面が露出するとともに、上記封止部材に第2端子接続孔が形成され、該封止部材の表面から上記第2端子接続孔内における所定深さ位置にて上記第2高電圧端子の上記露出面が露出するよう構成されていることを特徴とする電力用半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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