特許
J-GLOBAL ID:201903004032045926
結晶膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-154238
公開番号(公開出願番号):特開2019-163200
出願日: 2018年08月20日
公開日(公表日): 2019年09月26日
要約:
【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことにより、高品質な結晶膜を成膜し、得られた結晶膜を、半導体装置等に用いる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスと、ドーパント含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給することにより金属酸化物の結晶膜を成膜する結晶膜の製造方法であって、前記ドーパント含有原料ガスとともに反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記ドーパント含有原料ガスおよび前記反応性ガスの流通下で行うことを特徴とする結晶膜の製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/16
, C30B 25/02
, C23C 16/40
FI (3件):
C30B29/16
, C30B25/02 Z
, C23C16/40
Fターム (93件):
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB06
, 4G077AB10
, 4G077BB10
, 4G077DB05
, 4G077EA02
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077EC01
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077TB04
, 4G077TC01
, 4G077TC03
, 4G077TC06
, 4K030AA03
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030BA08
, 4K030BA09
, 4K030BA42
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030LA12
, 5F045AA00
, 5F045AA04
, 5F045AA15
, 5F045AA19
, 5F045AB40
, 5F045AC00
, 5F045AC11
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE01
, 5F045AE29
, 5F045AF01
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF06
, 5F045AF07
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045BB08
, 5F045BB13
, 5F045CA05
, 5F045CA07
, 5F045CA09
, 5F045CA13
, 5F045CA15
, 5F045CB02
, 5F045DA52
, 5F045DA53
, 5F045DP02
, 5F045DP07
, 5F045DQ06
, 5F045DQ08
, 5F045EC02
, 5F045EE02
, 5F045EE04
, 5F045EE14
, 5F045EF02
, 5F045EK06
, 5F045EK08
, 5F045HA02
, 5F053AA50
, 5F053BB05
, 5F053BB13
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053HH01
, 5F053HH05
, 5F053KK01
, 5F053KK02
, 5F053KK10
, 5F053LL01
, 5F053LL04
, 5F053LL10
, 5F053RR04
, 5F053RR05
引用特許:
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