特許

J-GLOBAL ID：200903067882403036

III族酸化物半導体を含む半導体素子

発明者： 鯉田 崇 ,  近藤 道雄 ,  反保 衆志 ,  仁木 栄
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-101353
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305975
出願日： 2007年04月09日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。【解決手段】 A2O3なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてAの元素がIn、Ga、アルミニウムAl、ボロンBの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

Aを任意の元素記号としたとき、A2O3なる構成を有すると共にAの元素がIn、Ga、アルミニウムAl、およびボロンBの少なくとも二つより成るIII族酸化物半導体を含み、禁制帯幅を変調するようにIn、Ga、アルミニウムAl、およびボロンBから選ばれる少なくとも二つの元素の組成量を変化させることを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30

FI (4件)：

H01L21/203 Z ,  H01L29/80 H ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Fターム (39件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  5F041CA03 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GK04 ,  5F102GL01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM01 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F103AA10 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH08 ,  5F103LL02 ,  5F103LL04 ,  5F103LL05 ,  5F173AH40 ,  5F173AP04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 酸化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-373856   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• トランジスタ及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-326889   出願人：科学技術振興事業団
• 酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-273746   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-154011   出願人：株式会社光波