特許
J-GLOBAL ID：201903005340499470
ショットキーダイオード、ショットキーダイオードアレイ及びショットキーダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
TRY国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-000468
公開番号（公開出願番号）：特開2018-117119
特許番号：特許第6538892号
出願日： 2018年01月05日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第一電極、半導体構造及び第二電極を含むショットキーダイオードにおいて、
前記第一電極が第一金属層及び第二金属層を含み、前記第一金属層と前記第二金属層が積層して設置され、前記第一金属層の側面と前記第二金属層の上表面が階段構造体を形成し、
前記第二電極が第三金属層及び第四金属層を含み、前記第三金属層と前記第四金属層が積層して設置され、前記第三金属層の下表面と前記第四金属層の側面が反方向階段構造体を形成し、
前記半導体構造が前記第一電極と前記第二電極との間に設置され、前記半導体構造が第一端部、該第一端部と対向して設置された第二端部及び、前記第一端部と前記第二端部との間に位置する中間部を含み、前記半導体構造の第一端部が前記第一金属層と前記第二金属層に挟まれ、前記半導体構造の第二端部が前記第三金属層と前記第四金属層に挟まれ、前記階段構造体及び前記反方向階段構造体が前記半導体構造の第一端部と第二端部との間に位置して、前記半導体構造の中間部が前記階段構造体から前記反方向階段構造体に延伸して、前記半導体構造がナノスケールの半導体構造であることを特徴とするショットキーダイオード。
IPC (8件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 F
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
, H01L 29/86 301 P
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/06 601 N
, H01L 29/86 301 M
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/28 250 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 627 C
