特許
J-GLOBAL ID：201903005637329493
蓄電モジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 中山 浩光
, 鈴木 光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-086892
公開番号（公開出願番号）：特開2019-192589
出願日： 2018年04月27日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
要約：
【課題】封止体の成形不良を抑制して蓄電モジュールの製造を適切に行える蓄電モジュールの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】複数のバイポーラ電極14を積層した矩形状の電極積層体11の外縁に封止体12を設けて構成される蓄電モジュール4の製造方法において、金型の内部に電極積層体11を配置する配置工程と、金型の内部に樹脂Pを注入して電極積層体11の外縁の全周にわたって封止体12を樹脂成形する成形工程とを含み、成形工程において、封止体12の角部の位置から樹脂Pを注入して樹脂成形を行う。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
複数のバイポーラ電極を積層して積層方向と直交する断面が矩形の積層体を作製し、前記積層方向から見た前記積層体の外縁に封止体を設けて構成される蓄電モジュールの製造方法において、
金型の内部に前記積層体を配置する配置工程と、
前記金型の内部に樹脂を注入して前記積層体の前記積層方向から見た外縁の全周にわたって前記封止体を樹脂成形する成形工程と、を含み、
前記成形工程において、前記封止体の成形領域の矩形の角部の位置から前記樹脂を注入して樹脂成形を行う、
蓄電モジュールの製造方法。
IPC (4件)：
H01M 2/08
, H01M 2/02
, H01G 11/82
, H01G 11/84
H01M2/08 K
, H01M2/02 K
, H01G11/82
, H01G11/84
5E078AA14
, 5E078AB02
, 5E078HA06
, 5E078HA13
, 5E078ZA10
, 5H011AA09
, 5H011CC02
, 5H011DD02
, 5H011FF02
, 5H011GG01
, 5H011HH02
, 5H011KK01
