特許
J-GLOBAL ID:201903005804442760
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-042271
公開番号(公開出願番号):特開2019-160882
出願日: 2018年03月08日
公開日(公表日): 2019年09月19日
要約:
【課題】実装基板に実装後の半導体装置の端子の接続状態を視認し易く、基板実装性も良好な半導体装置および製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッド庇部6aを有するダイパッド6上に半導体チップ10を載置し、ダイパッド6の周囲に離間してリード9を設け、リード9と半導体チップ10とを電気的に接続し、封止樹脂8を被覆した半導体装置4であって、ダイパッドから遠い側のリード9の外側には凹部7eが設けられ、凹部7eと面するリード凹面7dは順テーパー形状のリード傾斜面7hとなる。また、封止樹脂8の側面は8a、8b階段状になっており、第1樹脂側面8aよりもリード9の先端が突出する構造となっている。【選択図】図9
請求項(抜粋):
半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記リードの前記ダイパッドから遠い側のリードの外側を露出する封止樹脂と、を備え、
前記リードの外側の上部には凹部が設けられ、
前記凹部と面する前記リード凹面は少なくとも順テーパー形状の傾斜面からなり、
前記リードの外側の一部が前記封止樹脂の側面よりも突出することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/50
FI (4件):
H01L23/28 A
, H01L21/56 D
, H01L21/56 H
, H01L23/50 J
Fターム (21件):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109DA10
, 4M109DB15
, 4M109EA01
, 4M109FA02
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CB02
, 5F061CB13
, 5F061EA16
, 5F067AA09
, 5F067AA13
, 5F067AA19
, 5F067AB04
, 5F067BA02
, 5F067BC07
, 5F067BC15
, 5F067DC12
, 5F067DE20
, 5F067EA04
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-209887
出願人:セイコーインスツル株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-140056
出願人:株式会社ルネサステクノロジ, 日立米沢電子株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-082305
出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
全件表示
審査官引用 (4件)