特許
J-GLOBAL ID：201903006539614100

プラズマ浸漬イオン注入装置の制御方法及びバイアス供給装置

発明者：
トレグロッサ、フランク

トレグロッサ、フランク について

, 
ルー、ローラン

ルー、ローラン について


出願人/特許権者：
イオン ビーム サービス

イオン ビーム サービス について


代理人 (1件)： 伏見 直哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-526919
公開番号（公開出願番号）：特表2019-504475
出願日： 2016年12月05日
公開日（公表日）： 2019年02月14日
要約：
本発明は、プラズマ浸漬注入装置を制御する方法に関する。該方法は、プラズマAPが着火されており、基板が負にバイアスされている(S)注入段階(1)と、プラズマAPが着火されており、該基板が正またはゼロのバイアス(S)を与えられている中性化段階(2)と、プラズマが消されている抑制段階(3)と、該基板の負に帯電された粒子を排除するための、プラズマが消されている排除段階(4)と、を含む。該方法は、該排除段階の期間が5μsよりも長いことを特徴とする。本発明は、また、注入装置用のバイアス供給装置に関する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
プラズマ浸漬において機能する注入装置を制御する方法であって、 プラズマ(AP)が着火されており、基板(SUB)が負にバイアス(S)されている注入段階([1])と、 プラズマ(AP)が着火されており、該基板(SUB)が正またはゼロのバイアス(S)を与えられている中性化段階([2])と、 プラズマが消されている抑制段階([3])と、 プラズマが消されている、該基板における負に帯電された粒子の排除段階([4])と、を含み、 該排除段階の期間が5μsよりも長い方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 ,  H01J 37/317 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/265 F ,  H01J37/317 B ,  H05H1/46 A
Fターム (14件)：
2G084AA08 ,  2G084BB26 ,  2G084CC08 ,  2G084CC13 ,  2G084CC14 ,  2G084CC17 ,  2G084CC23 ,  2G084DD04 ,  2G084FF02 ,  2G084FF04 ,  2G084FF27 ,  2G084FF29 ,  2G084FF38 ,  5C034CC13
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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