特許
J-GLOBAL ID：200903037214756150
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-378800
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142436
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 プラズマによって処理する製造プロセスにおいて、大型の基板に対しても基板の主表面全体におけるダストの付着を防止し、かつ、プラズマ処理の均一性に影響を与えないダスト除去手段を備えるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置は、内部に基板14を配置して、基板14に対するプラズマ処理を行なうための真空容器1と、傾斜する等電位面を基板14の上方に形成するために基板14の下側に配置されたダスト排除電極31とを備える。さらに、ダスト排除電極31に負の電圧を印加するための電源26と、ダスト排除電極31と基板14とを相対的に動かすための駆動手段とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
内部に基板を配置して、前記基板に対するプラズマ処理を行なうための真空容器と、
傾斜する等電位面を前記基板の上方に形成するために前記基板の下側に配置されたダスト排除電極と、
前記ダスト排除電極に負の電圧を印加するための電源と、
前記ダスト排除電極と前記基板とを相対的に動かすための駆動手段と
を備える、プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L21/3065
, B08B7/00
, C23C16/44
, H01L21/304
, H05H1/46
H01L21/302 102
, B08B7/00
, C23C16/44 J
, H01L21/304 645C
, H05H1/46 A
3B116AA02
, 3B116AA03
, 3B116AB34
, 3B116BB89
, 3B116BC01
, 4K030CA04
, 4K030DA06
, 4K030FA01
, 4K030KA14
, 4K030LA15
, 5F004AA14
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BB32
, 5F004BD01
, 5F004BD04
