特許
J-GLOBAL ID：201503001782564918
プラズマ浸漬モードにおけるイオン注入装置の制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伏見 直哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-533958
公開番号（公開出願番号）：特表2014-535130
出願日： 2012年10月04日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：
本発明は、プラズマ電源及び基板電源を備えたイオン注入装置APを制御する制御方法に関する。該基板電源は、 電圧発生器と、 該電圧発生器と該基板電源の出力端子との間に接続された第一のスイッチSW1と、 該出力端子と中性化端子との間に接続された第二のスイッチと、を備え、 該方法は、注入段階A-D及び中性化段階E-Hを含む。該方法は、該注入段階及び該中性化段階と重なり、該プラズマ電源を作動停止させる緩和段階C-Fを含む。さらに、該中性化段階は、該第二のスイッチを閉じるための予備ステップE-Fと、該予備ステップに続く、該プラズマ電源APを作動させるための相殺F-Gステップと、を含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
プラズマ電源(AP)及び基板電源(PS)を備えたイオン注入装置を制御する制御方法であって、該基板電源は、
接地された正極を備えた電圧発生器(HT)と、
該電圧発生器(HT)の負極に接続された第一の極と、該基板電源の出力端子(S)に接続された第二の極と、を備えた第一のスイッチ(SW1)と、
該出力端子(S)に接続された第一の極と、中性化端子(N)に接続された第二の極と、を備えた第二のスイッチ(SW2)と、を備え、
該方法は、その間に、
該プラズマ電源を作動させ、
該第一のスイッチ(SW1)を閉じ、
該第二のスイッチ(SW2)を開ける、注入段階(A-D)を含み、
該方法は、また、その間に、
該第一のスイッチ(SW1)を開け、
該第二のスイッチ(SW2)を閉じる、中性化段階(E-H)を含み、
該方法は、さらに、該注入段階及び該中性化段階と重なり、その間、該プラズマ電源(AP)を作動停止させる、緩和段階(C-F)を含み、
該中性化段階は、該第二のスイッチ(SW2)を閉じるための予備ステップ(E-F)と、該予備ステップに続く、該プラズマ電源(AP)を作動させるための相殺ステップ(F-G)と、を含む制御方法。
IPC (4件)：
H01J 37/32
, H01L 21/265
, H05H 1/46
, H01J 37/317
H01J37/32
, H01L21/265 T
, H05H1/46 L
, H05H1/46 R
, H01L21/265 F
, H01J37/317 Z
