特許

J-GLOBAL ID：201903007694299161

フィルファクタ変調によるプロセス適合性改善

発明者： レビンスキ ウラディミル ,  ハジャジ エイタン ,  イツコビッチ タル ,  アハロン シャロン ,  アデル ミカエル イー ,  パスコバ ユリ ,  ネグリ ダリア ,  ルバシェブスキー ユバル ,  マナッセン アムノン ,  リー ミュンジュン ,  スミス マーク ディー
出願人/特許権者： ケーエルエー-テンカー コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-552155
公開番号（公開出願番号）：特表2019-517017
出願日： 2016年11月04日
公開日（公表日）： 2019年06月20日
要約：

提供される計量ターゲット及びターゲットデザイン方法においては、ピッチpを有する周期パターンに属する要素を、置換されるその要素に対し少なくとも一通りの幾何学的差異を有するアシスト要素により置換することでターゲット要素を確定し、それにより、そのピッチpが単一のピッチとして維持される混成周期構造を形成する。先進的多重パターニング技術で以て適合性限界内でターゲットを構築することで、それらターゲットの忠実性が改善されると共に、フィルファクタ変調によるターゲットの調整により、オーバレイの抽出に十分な計量感度を提供しつつそれらターゲットのプロセス適合性を樹立することが可能となる。

請求項（抜粋）：

ターゲットデザイン方法であって、ピッチpを有する周期パターンに属する要素を、置換されるその要素に対し少なくとも一通りの幾何学的差異を有するアシスト要素により置換し、それによりターゲット要素を画定することで、そのピッチpが単一ピッチとして維持される混成周期構造を形成するステップを、有する方法。

IPC (1件)：

G03F 9/00

FI (1件)：

G03F9/00 H

Fターム (6件)：

2H197AA09 ,  2H197AB12 ,  2H197DA02 ,  2H197HA03 ,  2H197JA18 ,  2H197JA23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 集積回路のパターンレイアウト、フォトマスク、半導体装置の製造方法、及びデータ作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-114752   出願人：株式会社東芝
• 極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計する方法およびマスクを製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-239640   出願人：アスムルマスクツールズビー.ブイ.