特許
J-GLOBAL ID：200903090968805368
極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計する方法およびマスクを製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 岩本 行夫
, 吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-239640
公開番号（公開出願番号）：特開2006-048067
出願日： 2005年08月22日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計する方法およびマスクを製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラムを提供すること。【解決手段】光学近接効果(OPE)は主フィーチャと隣接するフィーチャの間の構造的相互作用に起因する。隣接するフィーチャによって生成される電界の位相に応じて、主フィーチャの臨界寸法およびプロセスラチチュードを、強め合う光電界干渉によって改善するか、または弱め合う光電界干渉によって劣化させることができる。隣接するフィーチャによって生成される電界の位相はピッチならびに照明角に依存する。所与の照明角に対して、禁制ピッチ領域は、隣接するフィーチャによって生成される電界が主フィーチャの電界と弱め合うように相互作用する位置である。本発明は、任意のフィーチャサイズおよび照明条件に対して禁制ピッチ領域を識別し、除去するための方法を提供する。【選択図】図1a
請求項（抜粋）：
リソグラフィ装置を使用して基板上に形成すべき集積デバイスを設計するときにフィーチャ間の望ましくないピッチを識別する方法であって、
(a)複数の予め決められたピッチの所与の照明角に対する照明強度レベルを決定することによって極端相互作用ピッチ領域を識別するステップと、
(b)照明角のある範囲にわたって所与の極端相互作用ピッチ領域に対する照明強度を決定することによって、ステップ(a)において識別された各極端相互作用ピッチ領域に対する前記望ましくないピッチを識別するステップとを含む方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BD03
