特許
J-GLOBAL ID:201903007836532586
CVD反応器のための改良された放射シールディング
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-219060
公開番号(公開出願番号):特開2019-060025
出願日: 2018年11月22日
公開日(公表日): 2019年04月18日
要約:
【課題】内部の赤外線放射に対する90%以上の平均反射率を有し、300°C以上の壁温度でも動作可能な高効率のCVD反応器を製造する方法の提供。【解決手段】蒸着プレート300にCVD反応器を搭載することにより蒸着チャンバが形成され、マグネトロンスパッタリング、イオンビームアシストマグネトロンスパッタリング、陰極アーク、フィルタード陰極アーク、電子ビーム蒸着、および熱蒸着などの物理気相成長により窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム等の金属窒化物を1〜10μm蒸着することを特徴とするCVD反応器を製造する方法。【選択図】図3
請求項(抜粋):
ベースプレートと、前記ベースプレートに取付け可能なエンクロージャとによって形成された反応チャンバを備え、
前記エンクロージャは、金属窒化物層を含む内部表面を有する、化学気相成長反応器。
IPC (3件):
C23C 16/44
, C23C 14/06
, H01L 21/31
FI (3件):
C23C16/44 B
, C23C14/06 A
, H01L21/31 B
Fターム (21件):
4K029AA01
, 4K029AA26
, 4K029BA01
, 4K029BA17
, 4K029BA58
, 4K029BA60
, 4K029BB02
, 4K029BC00
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 4K029CA08
, 4K029DB11
, 4K029DB21
, 4K029EA01
, 4K030BA29
, 4K030FA10
, 4K030KA08
, 4K030KA47
, 5F045AB40
, 5F045EB03
引用特許:
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