特許
J-GLOBAL ID:201903007836532586

CVD反応器のための改良された放射シールディング

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-219060
公開番号(公開出願番号):特開2019-060025
出願日: 2018年11月22日
公開日(公表日): 2019年04月18日
要約:
【課題】内部の赤外線放射に対する90%以上の平均反射率を有し、300°C以上の壁温度でも動作可能な高効率のCVD反応器を製造する方法の提供。【解決手段】蒸着プレート300にCVD反応器を搭載することにより蒸着チャンバが形成され、マグネトロンスパッタリング、イオンビームアシストマグネトロンスパッタリング、陰極アーク、フィルタード陰極アーク、電子ビーム蒸着、および熱蒸着などの物理気相成長により窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム等の金属窒化物を1〜10μm蒸着することを特徴とするCVD反応器を製造する方法。【選択図】図3
請求項(抜粋):
ベースプレートと、前記ベースプレートに取付け可能なエンクロージャとによって形成された反応チャンバを備え、 前記エンクロージャは、金属窒化物層を含む内部表面を有する、化学気相成長反応器。
IPC (3件):
C23C 16/44 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/31
FI (3件):
C23C16/44 B ,  C23C14/06 A ,  H01L21/31 B
Fターム (21件):
4K029AA01 ,  4K029AA26 ,  4K029BA01 ,  4K029BA17 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029CA08 ,  4K029DB11 ,  4K029DB21 ,  4K029EA01 ,  4K030BA29 ,  4K030FA10 ,  4K030KA08 ,  4K030KA47 ,  5F045AB40 ,  5F045EB03
引用特許:
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る