特許
J-GLOBAL ID：201903007937346139

光導波路型受光素子

発明者：
米田 昌博

米田 昌博 について

, 
沖本 拓也

沖本 拓也 について


出願人/特許権者：
住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-037296
公開番号（公開出願番号）：特開2019-153671
出願日： 2018年03月02日
公開日（公表日）： 2019年09月12日
要約：
【課題】導波路型フォトダイオードの周波数応答特性をより高めることができる光導波路型受光素子を提供する。【解決手段】光導波路型受光素子は、n型の導電型を有する第1半導体層11と、第1半導体層11の第1領域E上に設けられた光導波路構造80と、第1半導体層11の第1領域Eと隣接する第2領域D上に設けられた導波路型フォトダイオード構造19と、を備え、光導波路構造80は、第1半導体層11上に設けられた光導波コア層81と、光導波コア層81上に設けられたクラッド層82と、を有し、導波路型フォトダイオード構造19は、光導波コア層81と並んで設けられ、第1半導体層11よりも低い不純物濃度のn型もしくはi型の導電型を有する第2半導体層12と、第2半導体層12上に設けられ、光導波コア層81と光結合された光吸収層13と、光吸収層13上に設けられたp型の導電型を有する第3半導体層14と、を有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
n型の導電型を有する第1半導体層と、 前記第1半導体層の第1領域上に設けられた光導波路構造と、 前記第1半導体層の前記第1領域と隣接する第2領域上に設けられた導波路型フォトダイオード構造と、を備え、 前記光導波路構造は、 前記第1半導体層上に設けられた光導波コア層と、 前記光導波コア層上に設けられたクラッド層と、を有し、 前記導波路型フォトダイオード構造は、 前記第1半導体層上において前記光導波コア層と並んで設けられ、前記第1半導体層よりも低い不純物濃度のn型もしくはi型の導電型を有する第2半導体層と、 前記第2半導体層上に設けられ、前記光導波コア層と光結合された光吸収層と、 前記光吸収層上に設けられたp型の導電型を有する第3半導体層と、 を有する、光導波路型受光素子。
IPC (2件)：
H01L 31/023 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L31/02 D ,  H01L31/10 A
Fターム (23件)：
5F849AA04 ,  5F849AB07 ,  5F849AB17 ,  5F849BA03 ,  5F849BB01 ,  5F849CB08 ,  5F849CB14 ,  5F849DA02 ,  5F849DA06 ,  5F849DA25 ,  5F849DA28 ,  5F849DA36 ,  5F849EA02 ,  5F849EA11 ,  5F849EA12 ,  5F849EA16 ,  5F849FA05 ,  5F849GA06 ,  5F849HA13 ,  5F849JA09 ,  5F849JA14 ,  5F849KA20 ,  5F849XB05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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