特許

J-GLOBAL ID：201903008398495369

導電体、及び導電体の製造方法

発明者： 成塚 重弥 ,  山田 純平 ,  藤原 亨介
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学
代理人 (1件)： 特許業務法人グランダム特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-174591
公開番号（公開出願番号）：特開2019-050160
出願日： 2017年09月12日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：

【課題】品質が良好な導電体、及び品質が良好な導電体を製造する製造方法を提供する。【解決手段】本発明の導電体1は、Cuで形成された線材10と、線材10の表面を覆うグラフェン層11とを備えている。また、本発明の導電体1の製造方法は、Cuで形成された線材10の表面にグラフェン層11を成長させる第1グラフェン層成長工程と、第1グラフェン層形成工程の後に、表面にメッキにより被覆層12を形成する第1被覆層形成工程とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属で形成された線材と、 前記線材の表面を覆うグラフェン層と、 を備えていることを特徴とする導電体。

IPC (6件)：

H01B 5/02 ,  H01F 5/00 ,  H01B 13/00 ,  C23C 16/26 ,  B32B 1/08 ,  B32B 15/04

FI (7件)：

H01B5/02 A ,  H01F5/00 F ,  H01B13/00 501E ,  H01B13/00 501A ,  C23C16/26 ,  B32B1/08 Z ,  B32B15/04 B

Fターム (41件)：

4F100AA37B ,  4F100AA37D ,  4F100AB01A ,  4F100AB01C ,  4F100AB01E ,  4F100AB17A ,  4F100AB17C ,  4F100AB17E ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10E ,  4F100DA16 ,  4F100EH66 ,  4F100EH71 ,  4F100EJ41 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ43 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030CA02 ,  4K030CA13 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  5G307BA02 ,  5G307BB01 ,  5G307BB09 ,  5G307BC03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 導線とこれを用いたコイル、および前記コイルを用いたラウドスピーカ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-173673   出願人：パナソニックIPマネジメント株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-334358   出願人：三菱電機株式会社