特許
J-GLOBAL ID：201903008412401810
有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大菅 義之
, 野村 泰久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-231727
公開番号（公開出願番号）：特開2019-057727
出願日： 2018年12月11日
公開日（公表日）： 2019年04月11日
要約：
【課題】標準的な半導体処理技術との整合性を制限されない強誘電体結晶材料を含むメモリセルを提供する。【解決手段】半導体デバイス(メモリセル100)は、反転中心を通る反転対称のない有極性カイラル結晶構造を有する強誘電体結晶材料FE140を含む。強誘電体結晶材料は、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムハフニウム、酸化チタンハフニウム(HfTiOx)、及び酸化シリコンハフニウムからなる群の中から選択され、更に、ニオブ、タンタル、ランタン、ガドリニウム、バナジウム、リン、カリウム、スカンジウム、ルビジウム、セレン、スズ、及びインジウム(In)からなる群の中から選択された少なくとも一種のドーパントを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反転中心を通る反転対称のない有極性カイラル結晶構造を有する強誘電体結晶材料を含む半導体デバイスであって、
前記強誘電体結晶材料は、酸化ハフニウム(HfOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化チタン(TiOx)、酸化ジルコニウムハフニウム(HfZrOx)、酸化チタンハフニウム(HfTiOx)、及び酸化シリコンハフニウム(HfSiOx)からなる群の中から選択され、
前記強誘電体結晶材料は、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、ランタン(La)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、リン(P)、カリウム(K)、スカンジウム(Sc)、ルビジウム(Rb)、セレン(Se)、スズ(Sn)、及びインジウム(In)からなる群の中から選択された少なくとも一種のドーパントを更に含む、半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 27/115
, H01L 21/316
H01L27/11507
, H01L21/316 X
5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BF04
, 5F058BF06
, 5F058BF12
, 5F058BF29
, 5F058BF37
, 5F058BH04
, 5F058BJ04
, 5F083FR02
, 5F083GA01
, 5F083GA11
, 5F083HA02
, 5F083JA05
, 5F083JA19
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR21
, 5F083PR33
