特許

J-GLOBAL ID：201903008917450726

強誘電体及びこれを備えるメモリー素子、並びに強誘電体の製造方法

発明者： 菅原 司 ,  君塚 信夫 ,  藤川 茂紀 ,  山本 凌輔
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-163663
公開番号（公開出願番号）：特開2019-041058
出願日： 2017年08月28日
公開日（公表日）： 2019年03月14日
要約：

【課題】柔軟性、及び強誘電性を兼ね備えた強誘電体と、当該強誘電体を備えるメモリー素子と、当該強誘電体の製造方法とを提供すること。【解決手段】ポリイミド樹脂、及び/又はポリアミドイミド樹脂を含む多孔質材料が有する空孔の少なくとも一部に極性化合物を充填する。多孔質材料は、複数の隣接する孔部が繋がった連通孔を内部に備える。極性化合物の双極子モーメントの値は、1.00debye以上であるのが好ましい。多孔質材料の空隙率は、60体積%以上90体積%以下が好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多孔質材料と、極性化合物とを含む強誘電体であって、 前記多孔質材料が、ポリイミド樹脂、及び/又はポリアミドイミド樹脂を含み、且つ、複数の隣接する孔部が繋がった連通孔を内部に備え、 前記極性化合物が、前記多孔質材料中の空孔の少なくとも一部に充填された、強誘電体。

IPC (6件)：

H01L 21/312 ,  H01L 27/115 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/37 ,  H01G 4/22 ,  H01G 4/12

FI (8件)：

H01L21/312 B ,  H01L27/11507 ,  H01L41/18 ,  H01L41/37 ,  H01G4/22 ,  H01G4/12 412 ,  H01G4/12 415 ,  H01G4/12 418

Fターム (33件)：

5E001AB01 ,  5E001AD01 ,  5E001AD05 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ02 ,  5E082BC11 ,  5E082BC31 ,  5E082BC32 ,  5E082FF03 ,  5E082FF05 ,  5E082FF17 ,  5E082FG06 ,  5E082FG09 ,  5E082FG13 ,  5E082FG16 ,  5E082FG18 ,  5E082FG32 ,  5E082FG46 ,  5E082FH05 ,  5E082FH08 ,  5E082PP01 ,  5E082PP09 ,  5F058AA07 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC06 ,  5F058AD04 ,  5F058AD07 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-177699
  
• コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155279   出願人：日新電機株式会社
• 強誘電体及び記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-311807   出願人：公立大学法人首都大学東京
• 固体物質の誘電性制御方法、ポーラス誘電性物質の製造方法及びポーラス誘電性物質
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-227669   出願人：大学共同利用機関法人自然科学研究機構

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 強誘電ポリマーの話