書き換え可能なインプレースメモリを有するデータ記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-102220
公開番号（公開出願番号）：特開2018-206378
出願日： 2018年05月29日
公開日（公表日）： 2018年12月27日
要約：

【課題】書き換え可能なインプレースメモリを有するデータ記憶装置を提供する。【解決手段】データ記憶装置220は、少なくともバッファメモリ228、選択モジュール234、及び不揮発性メモリ232を有する。バッファメモリ及び不揮発性メモリは、異なる種類のメモリからなってもよく、不揮発性メモリは、1つ又は複数の書き換え可能なインプレースメモリセルを有する。バッファメモリ及び不揮発性メモリは、それぞれ、再書き込み可能なインプレースメモリセルの整定時間が満了するまで、選択モジュールによって指示される保留データ要求に関連するデータを記憶することができる。【選択図】図5B

請求項（抜粋）：

バッファメモリ、選択モジュール、及び不揮発性メモリを有するデータ記憶装置を備える装置であって、前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリは異なるタイプのメモリを備え、前記不揮発性メモリは書き換え可能なインプレースメモリセルを備え、前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリは、それぞれ、前記書き換え可能なインプレースメモリセルの整定時間が満了するまで、前記選択モジュールによって指示される保留データ要求に関連するデータを記憶する、装置。

IPC (8件)：

G06F 12/086 , H01L 21/823 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G06F 12/089 , G06F 12/06 , G11C 13/00

FI (9件)：

G06F12/0868 , H01L27/105 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L27/105 448 , G06F12/0893 105 , G06F12/06 515K , G11C13/00 270F , G11C13/00 440

Fターム (23件)：

4M119BB01 , 4M119CC05 , 5B160CB09 , 5B160MM02 , 5B160MM03 , 5B205JJ12 , 5B205MM11 , 5B205NN01 , 5B205UU25 , 5B205UU38 , 5F083FZ10 , 5F083GA10 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA21 , 5F083ZA14 , 5F092AB06 , 5F092AC11 , 5F092AD25 , 5F092BC04

引用特許：

審査官引用 (3件)

データ記憶装置およびデータを記憶するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-021698 出願人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-150080 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-037897

前のページに戻る