特許

J-GLOBAL ID：201403002415985612

データ記憶装置およびデータを記憶するための方法

発明者： ケビン・アーサー・ゴメス ,  ライアン・ジェームズ・ゴス ,  アントワーヌ・クエール ,  デビッド・スコット・エブセン ,  ジョン・ディ・トランサム
出願人/特許権者： シーゲイト テクノロジー エルエルシー
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-021698
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154168
出願日： 2014年02月06日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：

【課題】メモリ中のデータを管理する改善された方法および装置を提供する。【解決手段】一部の実施形態によれば、不揮発性(NV)バッファは、選択された論理アドレスを有する入力済みの書き込みデータを記憶するように適合される。書き込み回路は、記憶された入力済み書き込みデータをNVバッファ中に保持しながらも、この入力済み書き込みデータのコピーをNVメインメモリに転送するように適合される。検証回路は、所定の経過時間間隔の終了時に検証動作を実施して、この入力済み書き込みデータのコピーのNVメインメモリに対する転送の成功を検証するように適合される。この入力済み書き込みデータは、転送の成功が検証されるまで、NVバッファ中に保持される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

入力済み書き込みデータであって、関連付けられた論理アドレスを有する、入力済み書き込みデータを不揮発性(NV)バッファに記憶することと、 前記記憶された入力済み書き込みデータを前記NVバッファ中に保持しながらも、前記入力済み書き込みデータのコピーを、NVメインメモリに転送することと、 所定の経過時間の終了時に検証動作を実施して、前記入力済み書き込みデータの前記コピーの前記NVメインメモリに対する転送の成功を検証することと、 を含む、方法。

IPC (2件)：

G06F 12/16 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G06F12/16 310H ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 611A

Fターム (10件)：

5B018GA03 ,  5B018HA01 ,  5B018MA23 ,  5B018NA06 ,  5B018QA15 ,  5B125BA01 ,  5B125DE17 ,  5B125EA05 ,  5B125EK02 ,  5B125FA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• メモリコントローラ、メモリシステム、及びメモリデバイスへのデータの書込方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-099308   出願人：スパンションエルエルシー
• NANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-204420   出願人：三星電子株式会社
• 不揮発性メモリを備えた装置及びメモリコントロ-ラ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-115701   出願人：株式会社東芝
• 動作モードに応じてプログラム電圧の増加分を可変することができる不揮発性メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-113917   出願人：三星電子株式会社
• 不揮発メモリシステム及び不揮発メモリ制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-318417   出願人：コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社