特許
J-GLOBAL ID:201903010561299127
セラミックノーリード表面実装電子デバイス用の応力抑制インターポーザ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-521614
特許番号:特許第6599556号
出願日: 2016年11月18日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1及び第2の電子デバイスそれぞれの第1及び第2のはんだ材料間に配置可能な応力抑制インターポーザであって、
中心部と該中心部を取り囲む周辺部とを有するプレート素子であり、面積上限を持つ第1のキャビティを前記周辺部に画成し、且つ前記面積上限よりも高い面積下限を持つ第2のキャビティを前記中心部に画成するように形成されているプレート素子と、
前記第1及び第2のはんだ材料と電気的に連通するように、それぞれ、前記第2のキャビティ内及び前記第1のキャビティ内に配置可能な第3及び第4のはんだ材料と
を有し、
前記第3のはんだ材料は、少なくとも前記第2及び第4のはんだ材料よりも柔軟であり且つ高い融点を持つ、
応力抑制インターポーザ。
IPC (2件):
H01L 23/13 ( 200 6.01)
, H05K 1/18 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 23/12 C
, H05K 1/18 U
引用特許: