特許
J-GLOBAL ID：201903012403104265
膜厚測定方法、窒化物半導体積層物の製造方法および窒化物半導体積層物
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-098631
公開番号（公開出願番号）：特開2019-009426
出願日： 2018年05月23日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：
【課題】III族窒化物半導体結晶のホモエピタキシャル膜について、FT-IR法を利用した膜厚測定を行うことを可能にする。【解決手段】III族窒化物半導体の結晶からなる基板上に薄膜がホモエピタキシャル成長されてなる窒化物半導体積層物における薄膜の膜厚を測定する膜厚測定方法であって、基板として、当該基板におけるキャリア濃度と赤外域の吸収係数との間に依存性を有するものを用い、薄膜の膜厚を、フーリエ変換赤外分光法または赤外分光エリプソメトリ法を利用して測定する。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体の結晶からなる基板上に薄膜がホモエピタキシャル成長されてなる窒化物半導体積層物における前記薄膜の膜厚を測定する膜厚測定方法であって、
前記基板として、
波長をλ(μm)、27°Cにおける前記基板の吸収係数をα(cm-1)、前記基板中のキャリア濃度をNe(cm-3)、Kおよびaをそれぞれ定数としたときに、少なくとも1μm以上3.3μm以下の波長範囲における前記吸収係数αは、最小二乗法で以下の式(1)により近似され、
波長2μmにおいて、前記式(1)から求められる前記吸収係数αに対する、実測される前記吸収係数の誤差は、±0.1α以内であるものを用い、
前記薄膜の膜厚を、フーリエ変換赤外分光法または赤外分光エリプソメトリ法を利用して測定する
膜厚測定方法。
α=NeKλa ・・・(1)
(ただし、1.5×10-19≦K≦6.0×10-19、a=3)
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 P
, G01B11/06 G
2F065AA30
, 2F065CC19
, 2F065DD04
, 2F065FF41
, 2F065FF46
, 2F065FF52
, 2F065GG21
, 2F065LL67
, 2F065NN20
, 2F065QQ16
, 2F065QQ17
, 2F065QQ25
, 2F065QQ29
, 2F065RR05
, 2F065TT08
, 4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA08
, 4M106CA21
, 4M106CA48
, 4M106DJ20
