III族窒化物半導体結晶基板の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：平田忠雄 , 角田賢二 , 岩永勇二 , 中村恵子 , 遠藤和光 , 野見山孝 , 伊藤浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-041830
公開番号（公開出願番号）：特開2016-160151
出願日： 2015年03月03日
公開日（公表日）： 2016年09月05日
要約：

【課題】Naフラックス法などの液相成長法で成長したIII族窒化物種結晶基板上に、HVPE法などの気相成長法でIII族窒化物(例えば、GaN)結晶を厚く成長させた場合においても、成長した結晶中に新たに転位が発生することや、基板の反りや結晶中のクラックが発生することを抑制できるIII族窒化物半導体結晶基板の製造方法の提供。【解決手段】液相成長法により、少なくとも主面の結晶領域がその結晶成長時に2次元成長モードの平坦な成長界面形状を保った状態で成長された結晶領域により構成され、主面が+C面であり、面内全域に亘って、その主面近傍における結晶中の酸素原子濃度が1×1017cm-3以下であるIII族窒化物単結晶を種結晶基板として、その主面上に気相成長法でホモエピタキシャル成長させた、結晶中の酸素原子濃度が1×1017cm-3以下であるIII族窒化物半導体結晶基板の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

液相成長法で成長させたIII族窒化物単結晶を種結晶基板として、その主面上に気相成長法でIII族窒化物単結晶をホモエピタキシャル成長させるIII族窒化物半導体結晶基板の製造方法において、前記種結晶基板の主面が+c面であり、前記種結晶基板は、面内全域に亘って、その主面近傍における結晶中の酸素原子濃度が1×1017cm-3以下であることを特徴とする、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 25/20 , H01L 21/205 , H01L 21/208

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208 Z

Fターム (28件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB04 , 4G077TK01 , 4G077TK11 , 4G077TK13 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045BB12 , 5F045DP04 , 5F045DP28 , 5F045EK06 , 5F045EM10 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053GG01 , 5F053HH10 , 5F053LL02 , 5F053LL03 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (7件)

動画像処理装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-357975 出願人：ソニー株式会社
GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-215164 出願人：住友電気工業株式会社
低転位密度GaNの成長のためのプロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-545013 出願人：リュミログ

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