特許
J-GLOBAL ID：201903013139377890

半導体装置

発明者：
杉本 雅裕

杉本 雅裕 について

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▲高▼橋 勲

▲高▼橋 勲 について

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四戸 孝

四戸 孝 について

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人羅 俊実

人羅 俊実 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-156411
公開番号（公開出願番号）：特開2019-041107
出願日： 2018年08月23日
公開日（公表日）： 2019年03月14日
要約：
【課題】p型半導体層、n型半導体層およびi型半導体層間の良好な接合を有し、半導体特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体を主成分として含むn型半導体層4と、i型半導体層3と、p型半導体層1とを少なくとも含む半導体装置であって、第1の半導体が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含有する酸化物半導体である半導体装置を製造し、得られた半導体装置をパワーデバイス等に用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層と、i型半導体層と、p型半導体層とを少なくとも含む半導体装置であって、前記n型半導体層が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含有する酸化物半導体を主成分とすることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/368 ,  H01L 21/365
FI (11件)：
H01L29/86 301D ,  H01L29/24 ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/91 K ,  H01L21/368 Z ,  H01L29/91 F ,  H01L21/365
Fターム (22件)：
5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045EE02 ,  5F053AA06 ,  5F053BB09 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053KK02 ,  5F053KK10 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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