特許
J-GLOBAL ID：201503010973511989

結晶性積層構造体、半導体装置

発明者：
人羅 俊実

人羅 俊実 について

, 
織田 真也

織田 真也 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-070468
公開番号（公開出願番号）：特開2015-199648
出願日： 2015年03月30日
公開日（公表日）： 2015年11月12日
要約：
【課題】コランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜がアニール(加熱)工程後においても高抵抗化しない、導電性に優れた結晶性積層構造体及びその製造方法の提供。【解決手段】原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子をキャリアガスによって成膜室に供給して前記成膜室内に配置されたc面サファイア基板からなる下地基板上にコランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜を、膜厚が1μm以上となるように形成した後、600°C以下の条件でアニール処理を行う結晶性積層構造体の製造方法。前記方法により製造され、下地基板と、その上に直接又は別の層を介して形成されたコランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜とを備え、結晶性酸化物薄膜の膜厚が1μm以上であり、電気抵抗率が80mΩcm以下である結晶性積層構造体。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下地基板と、その上に直接又は別の層を介してコランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜とを備え、 前記結晶性酸化物薄膜の膜厚が1μm以上であり、 前記結晶性酸化物薄膜の電気抵抗率が80mΩcm以下であることを特徴とする結晶性積層構造体。
IPC (4件)：
C30B 29/16 ,  C30B 25/18 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L21/205
Fターム (20件)：
4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077BB00 ,  4G077DB02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FE11 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DP07 ,  5F045EK06 ,  5F045HA16
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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