特許

J-GLOBAL ID：201903013447025105

ショットキーダイオード、ショットキーダイオードアレイ及びショットキーダイオードの製造方法

発明者： 趙 宇丹 ,  肖 小陽 ,  王 営城 ,  金 元浩 ,  張 天夫 ,  李 群慶
出願人/特許権者： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： TRY国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-000466
公開番号（公開出願番号）：特開2018-117118
特許番号：特許第6572327号
出願日： 2018年01月05日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 絶縁基板及びショットキーダイオードユニットを含み、前記ショットキーダイオードユニットが前記絶縁基板の表面に設置されるショットキーダイオードにおいて、 前記ショットキーダイオードユニットは、第一電極、半導体構造及び第二電極を含み、前記第一電極が前記絶縁基板の表面に設置され、前記半導体構造が第一端部及び該第一端部と対向して設置された第二端部を含み、前記半導体構造の第一端部が前記第一電極に敷設され、前記第一電極を前記半導体構造の第一端部と前記絶縁基板との間に位置させ、前記半導体構造の第二端部が、前記絶縁基板の表面に設置され、前記第二電極が前記半導体構造の第二端部に設置され、前記半導体構造の第二端部を前記第二電極と前記絶縁基板との間に位置させ、前記第一電極と前記半導体構造のショットキーバリアは、前記第二電極と前記半導体構造のショットキーバリアより大きく、前記半導体構造がナノスケールであることを特徴とするショットキーダイオード。

IPC (8件)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  B82Y 10/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  H01L 29/16 ( 200 6.01) ,  H01L 29/24 ( 200 6.01)

FI (11件)：

H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/86 301 P ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 M ,  H01L 29/06 601 N ,  B82Y 10/00 ,  B82Y 40/00 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ショットキーダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-004955   出願人：ツィンファユニバーシティ, 鴻海精密工業股ふん有限公司
• カーボンナノチューブフィラメント、リボン、および糸の紡糸、処理、および利用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-556411   出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
• カラーレンズ及びカラーレンズの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-048710   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 眼鏡レンズの設計方法及び眼鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-173311   出願人：セイコーエプソン株式会社