特許
J-GLOBAL ID:201903013527403380
ポジ型感光性シロキサン組成物、アクティブマトリクス基板、表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
河野 英仁
, 河野 登夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-573406
特許番号:特許第6487947号
出願日: 2016年02月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】(I)テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に対する溶解速度が異なる少なくとも2種類以上のポリシロキサン、(II)ジアゾナフトキノン誘導体、(III)光酸発生剤、及び(IV)溶剤を含有するポジ型感光性シロキサン組成物であって、
前記ポリシロキサン(I)が、
(A)下記一般式(1):
R1nSi(OR2 )4-n
(式中、R1 は、任意のメチレンが酸素で置き換えられてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数6〜20で任意の水素がフッ素で置き換えられてもよいアリール基を表し、R2 は、炭素数1〜5のアルキル基を表し、nは0又は1を表す。)
で表されるシラン化合物を塩基性触媒の存在下で加水分解及び縮合させて得られるプリベーク後の膜が5質量%TMAH水溶液に可溶であり、その溶解速度が1000Å/秒以下であるポリシロキサン(Ia)と、
(B)前記一般式(1)で表されるシラン化合物を塩基性触媒又は酸性触媒の存在下で加水分解及び縮合させて得られるプリベーク後の膜の2.38質量%TMAH水溶液に対する溶解速度が100Å/秒以上であるポリシロキサン(Ib)と
の混合物であり、
前記ジアゾナフトキノン誘導体、及び前記光酸発生剤の量が、前記ポリシロキサン(I)100質量部に対して、夫々3質量部以上10質量部以下、及び0.01質量部以上10質量部以下であり、
その硬化物が、基板上に、複数のソース配線と複数のゲート配線とを立体的に交叉するように形成し、前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分の近傍に薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを介して対応するソース配線に電気的に接続される画素電極を形成してあるアクティブマトリクス基板の、少なくとも前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分における前記ソース配線と前記ゲート配線との間に介在する層間絶縁膜に用いられることを特徴とするポジ型感光性シロキサン組成物。
IPC (3件):
G03F 7/075 ( 200 6.01)
, G03F 7/023 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
FI (3件):
G03F 7/075 521
, G03F 7/023
, G03F 7/20 501
引用特許: