特許
J-GLOBAL ID：201903013768519886

半導体装置の製造方法

発明者：
松野 吉徳

松野 吉徳 について

, 
村上 剛史

村上 剛史 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-105146
公開番号（公開出願番号）：特開2019-212683
出願日： 2018年05月31日
公開日（公表日）： 2019年12月12日
要約：
【課題】本発明は、良好な特性を与える半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、ワイドバンドギャップ半導体にイオン注入により不純物をドープすることと、該ワイドバンドギャップ半導体を活性化アニールすることと、を備え、該活性化アニールは、4〜10°C/秒の昇温レートで該ワイドバンドギャップ半導体を第1温度まで昇温し該第1温度を維持する第1アニールと、該第1温度より高温であり、かつ1500°C以上の第2温度まで該ワイドバンドギャップ半導体を昇温し該第2温度を維持する第2アニールと、を有し、該第2温度に昇温する際のオーバーシュート量は、該第2温度を維持した時の該ワイドバンドギャップ半導体の面内温度の最大値と最小値の差の半分以下とした。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ワイドバンドギャップ半導体にイオン注入により不純物をドープすることと、 前記ワイドバンドギャップ半導体を活性化アニールすることと、を備え、 前記活性化アニールは、 4〜10°C/秒の昇温レートで前記ワイドバンドギャップ半導体を第1温度まで昇温し前記第1温度を維持する第1アニールと、 前記第1温度より高温であり、かつ1500°C以上の第2温度まで前記ワイドバンドギャップ半導体を昇温し前記第2温度を維持する第2アニールと、を有し、 前記第2温度に昇温する際のオーバーシュート量は、前記第2温度を維持した時の前記ワイドバンドギャップ半導体の面内温度の最大値と最小値の差の半分以下としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/265 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861
FI (9件)：
H01L21/265 602B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 F
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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