特許
J-GLOBAL ID：201703013485160771

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
西原 禎孝

西原 禎孝 について

, 
亀井 宏二

亀井 宏二 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-116605
公開番号（公開出願番号）：特開2017-220653
出願日： 2016年06月10日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
要約：
【課題】直径100mm以上であり、エピタキシャル層を積層した炭化珪素基板において、エピタキシャル層への不純物注入後に行う活性化熱処理に起因した、界面転位の発生を抑えることを可能とする、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、直径100mm以上の炭化珪素基板2とエピタキシャル層3とで構成されるエピタキシャル基板1を用い、エピタキシャル層3に不純物を注入する工程と、炭化珪素基板の裏面2bおよびエピタキシャル層の表面3aに、カーボン膜7を成膜する工程と、活性化熱処理炉内でサセプタ内に、カーボン膜7が成膜されたエピタキシャル基板1を配置し、1600°C〜2000°Cの温度範囲で、炭化珪素基板2の両面の温度差が40°C以下となるように、活性化熱処理する工程と、活性化熱処理後のカーボン膜7を除去する工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性化熱処理炉を用いて、炭化珪素基板上のエピタキシャル層の表面に不純物領域を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 直径100mm以上の炭化珪素基板と、そのおもて面に形成されたエピタキシャル層とで構成される炭化珪素エピタキシャル基板を用い、前記エピタキシャル層に、不純物を注入する工程と、 前記炭化珪素基板の裏面および前記エピタキシャル層の表面に、カーボン膜を成膜する工程と、 活性化熱処理炉内に配置したサセプタ内に、前記カーボン膜が成膜された前記炭化珪素エピタキシャル基板を配置し、1600°C〜2000°Cの温度範囲で、前記炭化珪素基板のおもて面側と裏面側との温度差が40°C以下となるように、前記炭化珪素エピタキシャル基板に対して活性化熱処理する工程と、 前記活性化熱処理後の前記カーボン膜を除去する工程と、を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861
FI (11件)：
H01L21/265 602A ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/265 602Z ,  H01L21/26 Q ,  H01L21/324 Q ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 F ,  H01L21/265 Z
引用特許：
審査官引用 (5件)
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