特許
J-GLOBAL ID：201903014716260430

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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三宅 博之

三宅 博之 について

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豊高 耕平

豊高 耕平 について

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早川 昌彦

早川 昌彦 について

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松林 大介

松林 大介 について

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松田 慎平

松田 慎平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-193460
公開番号（公開出願番号）：特開2019-053302
出願日： 2018年10月12日
公開日（公表日）： 2019年04月04日
要約：
【課題】信頼性が高く、狭額縁化を実現できる半導体装置を提供する。【解決手段】駆動回路は、半導体膜を間に挟んで電気的に接続された第1ゲート及び第2ゲートを有する第1トランジスタと、ソース及びドレインの一方が第1トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される第2トランジスタと、を有し、画素部は、第3トランジスタと液晶素子と容量素子とを有し、液晶素子は、第3トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された透光性を有する第1導電膜と、第2導電膜と、第1導電膜及び第2導電膜間に生じる電界が与えられる液晶層とを有し、容量素子は、第1導電膜と透光性を有する第3導電膜と、第1導電膜及び第3導電膜間に位置する窒化物絶縁膜と、を有し、窒化物絶縁膜は、第1トランジスタの半導体膜と第2ゲートの間に位置する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電膜と、 前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、 前記第1の絶縁膜上の金属酸化物膜と、 前記酸化物半導体膜上に位置し、かつ、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された第2の導電膜と、 前記酸化物半導体膜上に位置し、かつ、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された第3の導電膜と、 前記酸化物半導体膜上に位置し、かつ、第2の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有する第4の導電膜と、 前記金属酸化物膜上に位置し、かつ、前記金属酸化物膜と電気的に接続された第5の導電膜と、 前記第3の導電膜と電気的に接続された画素電極と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、In、Ga、及びZnを含み、 前記金属酸化物膜は、In、Ga、及びZnを含み、 前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域よりも導電性が高い領域を有し、 前記画素電極は、前記金属酸化物膜と重なる領域を有する表示装置。
IPC (6件)：
G02F 1/136 ,  G02F 1/134 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 331E ,  H01L27/088 J
Fターム (106件)：
2H092GA29 ,  2H092GA39 ,  2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JB56 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092QA07 ,  2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192DA12 ,  2H192DA24 ,  2H192DA44 ,  2H192DA62 ,  2H192EA22 ,  2H192EA43 ,  2H192EA74 ,  2H192FA26 ,  2H192FA65 ,  2H192FA73 ,  2H192FB02 ,  2H192FB15 ,  2H192FB27 ,  2H192FB33 ,  2H192JA06 ,  5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AB03 ,  5F048AB05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HL07 ,  5F110HL27 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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