半導体装置及び半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-196642
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077513
出願日： 2010年09月02日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。【解決手段】同一基板上に、駆動回路を有する駆動回路部と、画素を有する画素部と、を有し、前記画素は、透光性を有するゲート電極層と、ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の上に設けられ、透光性を有するソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層を挟んでゲート電極層の上に設けられ、ソース電極層の上面及び側面並びにドレイン電極層の上面及び側面を覆う酸化物半導体層と、酸化物半導体層の一部の上に設けられ、ソース電極層及び第2のドレイン電極層より低抵抗である導電層と、酸化物半導体層の一部に接する酸化物絶縁層と、を有する半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一基板上に駆動回路が設けられた駆動回路部及び画素が設けられた画素部と、を有し、前記駆動回路部に設けられた第1のゲート電極層と、前記画素部に設けられ、透光性を有する第2のゲート電極層と、前記第1のゲート電極層及び前記第2のゲート電極層の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を挟んで前記第1のゲート電極層の上に設けられた第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層の一部の上に設けられた第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、前記画素部における前記ゲート絶縁層の上に設けられ、透光性を有する第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、前記ゲート絶縁層を挟んで前記第2のゲート電極層の上に設けられ、前記第2のソース電極層の上面及び側面並びに前記第2のドレイン電極層の上面及び側面を覆う第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層の一部の上に設けられ、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層より低抵抗である導電層と、前記第1の酸化物半導体層の一部及び前記第2の酸化物半導体層の一部に接する酸化物絶縁層と、を有する半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 612B , H01L29/78 617M , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U

Fターム (53件)：

5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-274705 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-284538 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-262991 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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