特許

J-GLOBAL ID：201903015459649263

量子電気デバイスを冷却する回路アセンブリ、システム、及び方法

発明者： モットネン ミッコ ,  タン クアン イェン ,  パルタネン マッティ
出願人/特許権者： アールト コルケアコウルスエーティ (アールト ユニバーシティ ファウンデーション)
代理人 (4件)： 正林 真之 ,  林 一好 ,  芝 哲央 ,  岩池 満
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-534097
公開番号（公開出願番号）：特表2019-505989
出願日： 2016年12月27日
公開日（公表日）： 2019年02月28日
要約：

量子電気デバイス12を冷却する回路アセンブリ10、回路アセンブリ10の使用、量子電気デバイス12を冷却するシステム及び方法が提供される。回路アセンブリ10は、冷却されるべき量子電気デバイス12と、量子電気デバイス12に電気的に接続される少なくとも1つの常伝導金属-絶縁体-超伝導体(NIS)トンネル接合13と、少なくとも1つのNISトンネル接合13に駆動電圧VQCRを供給する少なくとも1つの超電導リード線14と、を備える。量子電気デバイス12は、電圧VQCRが少なくとも1つのNISトンネル接合13に供給される場合に冷却され、電圧VQCRは電圧NΔ/e以下であり、N=1又はN=2であり、Nは電圧を発生させる手段と電気的に直列に結合されるNISトンネル接合の数であり、Δは超伝導体の状態密度におけるエネルギーギャップであり、且つeは素電荷である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

量子電気デバイスを冷却する回路アセンブリ(10)であって、前記回路アセンブリ(10)は冷却されるべき量子電気デバイス(12)を備え、前記回路アセンブリ(10)は、 前記量子電気デバイス(12)に電気的に接続される少なくとも1つの常伝導金属-絶縁体-超伝導体(NIS)トンネル接合(13)と、 前記少なくとも1つの常伝導金属-絶縁体-超伝導体(NIS)トンネル接合(13)に駆動電圧VQCRを供給する、前記少なくとも1つの常伝導金属-絶縁体-超伝導体(NIS)トンネル接合(13)に電気的に接続される少なくとも1つの超伝導リード線(14)と、を更に備え、 前記量子電気デバイスの2つのエネルギー状態間のエネルギー差hω0/(2π)は、h(0.3〜300GHz)の範囲内にあり、ここで、hはプランク定数であり、 前記量子電気デバイスの実効容量Cは、C=π/(ρRKω0)で与えられ、ここで、RKはvon Klitzing定数であり、ρは、単一電子トンネリング事象の過程における光子捕獲事象のゼロ温度確率であり、0.00001〜0.1の範囲内にある、ことを特徴とする回路アセンブリ(10)。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ,  H01L 39/20 ,  H01L 37/00

FI (3件)：

H01L39/22 K ,  H01L39/20 ,  H01L37/00

Fターム (7件)：

4M113AC45 ,  4M113AC50 ,  4M113BA04 ,  4M113BB07 ,  4M113BC02 ,  4M113BC26 ,  4M114DA32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超電導トンネル接合デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-555304   出願人：イシスイノベイションリミテッド
• 放射線検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-282307   出願人：株式会社島津製作所